• Facebook
  • Linkedin
  • твітэр
  • youtube
  • instagram
Email:business@olukey.com
English
У чым розніца паміж MOSFET і IGBT? Olukey адкажа на вашы пытанні!

У чым розніца паміж MOSFET і IGBT? Olukey адкажа на вашы пытанні!

Час публікацыі: 18 снежня 2023 г

У якасці перамыкаючых элементаў MOSFET і IGBT часта з'яўляюцца ў электронных схемах. Яны таксама падобныя па вонкавым выглядзе і характэрным параметрах. Я лічу, што многія людзі задаюцца пытаннем, чаму ў некаторых схемах трэба выкарыстоўваць MOSFET, а ў іншых. IGBT?

Якая паміж імі розніца? Далей,Олюкейадкажа на вашы пытанні!

MOSFET і IGBT

Што такое аMOSFET?

MOSFET, поўная кітайская назва - метал-аксідны паўправадніковы палявы транзістар. Паколькі затвор гэтага палявога транзістара ізаляваны ізаляцыйным пластом, яго таксама называюць палявым транзістарам з ізаляваным затворам. MOSFET можна падзяліць на два тыпу: «N-тып» і «P-тып» у залежнасці ад палярнасці яго «канала» (рабочага носьбіта), які звычайна таксама называюць N MOSFET і P MOSFET.

Розныя схемы каналаў MOSFET

Сам MOSFET мае ўласны паразітны дыёд, які выкарыстоўваецца для прадухілення перагарання MOSFET пры перанапружанні VDD. Паколькі перад тым, як перанапружанне пашкодзіць MOSFET, дыёд спачатку ламаецца і накіроўвае вялікі ток на зямлю, тым самым прадухіляючы перагаранне MOSFET.

Схема прынцыпу працы MOSFET

Што такое IGBT?

IGBT (біпалярны транзістар з ізаляваным затворам) - гэта складаная паўправадніковая прылада, якая складаецца з транзістара і MOSFET.

IGBT N-тыпу і P-тыпу

Сімвалы схем IGBT пакуль не ўніфікаваныя. Пры маляванні прынцыповай схемы, як правіла, запазычаны сімвалы трыёда і MOSFET. У гэты час вы можаце меркаваць, ці з'яўляецца гэта IGBT або MOSFET, па мадэлі, пазначанай на прынцыповай схеме.

Пры гэтым таксама варта звярнуць увагу на тое, ці ёсць у IGBT корпусны дыёд. Калі ён не пазначаны на малюнку, гэта не значыць, што яго няма. Гэты дыёд прысутнічае, калі ў афіцыйных дадзеных не пазначана іншае. Корпусны дыёд унутры IGBT не з'яўляецца паразітам, але спецыяльна настроены для абароны далікатнага зваротнага напружання IGBT. Яго яшчэ называюць FWD (дыёд вольнага ходу).

Унутраная структура гэтых двух адрозніваецца

Тры полюсы MOSFET - гэта крыніца (S), сток (D) і затвор (G).

Тры полюсы IGBT - гэта калектар (C), эмітэр (E) і затвор (G).

IGBT пабудаваны шляхам дадання дадатковага пласта ў сцёк MOSFET. Іх унутраны будынак выглядае наступным чынам:

Базавая структура MOSFET і IGBT

Сферы прымянення ў двух розных

Унутраная структура MOSFET і IGBT адрозніваецца, што вызначае вобласці іх прымянення.

Дзякуючы структуры MOSFET, ён звычайна можа дасягнуць вялікага току, які можа дасягаць KA, але неабходная здольнасць вытрымліваць напружанне не такая моцная, як IGBT. Яго асноўныя вобласці прымянення - імпульсныя крыніцы сілкавання, баласты, высокачашчынны індукцыйны нагрэў, высокачашчынныя інвертарныя зварачныя апараты, крыніцы сілкавання сувязі і іншыя палі высокачашчыннага сілкавання.

IGBT можа вырабляць вялікую магутнасць, ток і напружанне, але частата не занадта высокая. У цяперашні час жорсткая хуткасць пераключэння IGBT можа дасягаць 100 кГц. IGBT шырока выкарыстоўваецца ў зварачных апаратах, інвертарах, пераўтваральніках частоты, гальванічных электралітычных крыніцах харчавання, ультрагукавым індукцыйным нагрэве і іншых галінах.

Асноўныя характарыстыкі MOSFET і IGBT

MOSFET мае такія характарыстыкі, як высокі ўваходны супраціў, высокая хуткасць пераключэння, добрая цеплавая стабільнасць, ток рэгулявання напружання і г. д. У схеме яго можна выкарыстоўваць як узмацняльнік, электронны перамыкач і ў іншых мэтах.

Як новы тып электронных паўправадніковых прылад, IGBT мае такія характарыстыкі, як высокі ўваходны супраціў, нізкае спажыванне энергіі кіравання напругай, простая схема кіравання, высокае супраціўленне напрузе і вялікі допуск па току, і шырока выкарыстоўваецца ў розных электронных схемах.

Ідэальная эквівалентная схема IGBT паказана на малюнку ніжэй. IGBT - гэта на самай справе спалучэнне MOSFET і транзістара. MOSFET мае недахоп у высокім супраціве ўключэння, але IGBT пераадольвае гэты недахоп. IGBT па-ранейшаму мае нізкае супраціўленне ўключэння пры высокім напружанні. .

Ідэальная эквівалентная схема IGBT

У цэлым перавага MOSFET у тым, што ён валодае добрымі высокачашчыннымі характарыстыкамі і можа працаваць на частаце ад сотняў кГц і да МГц. Недахопам з'яўляецца вялікае супраціўленне ўключэння і вялікае энергаспажыванне ў сітуацыях высокага напружання і моцнага току. IGBT добра працуе ў сітуацыях нізкай частаты і высокай магутнасці, з невялікім супрацівам уключэння і высокім вытрымліваючым напружаннем.

Выберыце MOSFET або IGBT

У ланцугу інжынеры часта сутыкаюцца з пытаннем, ці выбраць MOSFET у якасці трубкі выключальніка сілкавання або IGBT. Калі ўлічваць такія фактары, як напружанне, ток і магутнасць пераключэння сістэмы, можна абагульніць наступныя моманты:

Розніца паміж MOSFET і IGBT

Людзі часта пытаюцца: "Лепшы MOSFET або IGBT?" На самай справе паміж імі няма добрай і дрэннай розніцы. Самае галоўнае - убачыць яго рэальнае прымяненне.

Калі ў вас усё яшчэ ёсць пытанні аб розніцы паміж MOSFET і IGBT, вы можаце звязацца з Olukey для атрымання падрабязнай інфармацыі.

Olukey у асноўным распаўсюджвае прадукты WINSOK MOSFET сярэдняга і нізкага напружання. Прадукцыя шырока выкарыстоўваецца ў ваеннай прамысловасці, святлодыёдныя / ВК-платы драйвераў, платы драйвераў рухавікоў, хуткая зарадка, электронныя цыгарэты, ВК-маніторы, крыніцы харчавання, дробная бытавая тэхніка, медыцынскія вырабы і прадукты Bluetooth. Электронныя вагі, аўтамабільная электроніка, сеткавыя прадукты, бытавая тэхніка, кампутарная перыферыя і розныя лічбавыя прадукты.

РоднасныяЗмест

Націсніце Enter для пошуку або ESC для закрыцця