Што такое MOSFET? Якія асноўныя параметры?

Пры распрацоўцы імпульснага крыніцы харчавання або схемы прывада рухавіка з выкарыстаннемМАП-транзістары, звычайна ўлічваюцца такія фактары, як уключанае супраціўленне, максімальнае напружанне і максімальны ток MOS.

МАП-транзістары - гэта тып палявых транзістораў, якія могуць вырабляцца як з узмацненнем, так і знясіленнем, P-канальным або N-канальным, у агульнай складанасці 4 тыпы. Як правіла, выкарыстоўваюцца пашыральныя NMOSFET і пашыральныя PMOSFET, і гэтыя два звычайна згадваюцца.

Гэтыя два часцей выкарыстоўваюцца ў NMOS. прычына ў тым, што супраціўленне электраправоднасці невялікае і простае ў вырабе. Такім чынам, NMOS звычайна выкарыстоўваецца ў імпульсных крыніцах харчавання і рухавіках.

Унутры MOSFET тырыстар размешчаны паміж сцёкам і вытокам, што вельмі важна для кіравання індуктыўнымі нагрузкамі, такімі як рухавікі, і прысутнічае толькі ў адным MOSFET, звычайна не ў мікрасхеме інтэгральнай схемы.

Паразітная ёмістасць існуе паміж трыма кантактамі MOSFET, не таму, што яна нам патрэбна, але з-за абмежаванняў вытворчага працэсу. Наяўнасць паразітнай ёмістасці робіць яго больш грувасткім пры распрацоўцы або выбары схемы драйвера, але гэтага нельга пазбегнуць.

Асноўныя параметры стMOSFET

1, адкрытае напружанне VT

Адкрытае напружанне (таксама вядомае як парогавае напружанне): так што напружанне засаўкі неабходна для пачатку фарміравання токаправоднага канала паміж крыніцай S і сцёкам D; стандартны N-канальны MOSFET, VT складае каля 3 ~ 6 В; шляхам удасканалення працэсу значэнне MOSFET VT можа быць зменшана да 2 ~ 3 В.

2, уваходнае супраціўленне пастаяннага току RGS

Суадносіны напружання, дададзенага паміж полюсам крыніцы засаўкі і токам засаўкі. Гэтая характарыстыка часам выражаецца токам засаўкі, які праходзіць праз засаўку, RGS MOSFET можа лёгка перавышаць 1010 Ом.

3. Сток крыніцы прабоя BVDS напругі.

Пры ўмове VGS = 0 (павялічаны) у працэсе павышэння напружання сток-выток ID рэзка ўзрастае, калі VDS называецца напругай прабоя сток-выток BVDS, ID рэзка ўзрастае па дзвюх прычынах: (1) лавіна разбурэнне пласта знясілення каля дрэнажу, (2) прабой пранікнення паміж полюсамі сцёку і крыніцы, некаторыя MOSFET, якія маюць меншую даўжыню траншэі, павялічваюць VDS так, што пласт дрэнажу ў вобласці дрэнажу пашыраецца да вобласці крыніцы, што робіць даўжыню канала роўнай нулю, гэта значыць, каб стварыць пранікненне сток-крыніца, пранікненне, большасць носьбітаў у вобласці крыніцы будуць непасрэдна прыцягвацца электрычнае поле знясіленага пласта да вобласці сцёку, што прыводзіць да вялікага ID.

4, напружанне прабоя крыніцы засаўкі BVGS

Калі напружанне засаўкі павялічваецца, VGS, калі IG павялічваецца ад нуля, называецца напругай прабоя крыніцы засаўкі BVGS.

5、Нізкачашчынная праводнасць

Калі VDS з'яўляецца фіксаваным значэннем, стаўленне мікразменнасці току сцёку да мікразменнасці напружання крыніцы засаўкі, якое выклікае змяненне, называецца трансправоднасцю, якая адлюстроўвае здольнасць напружання крыніцы засаўкі кіраваць токам сцёку і з'яўляецца важны параметр, які характарызуе ўзмацняльную здольнасць стMOSFET.

6, уключанае супраціўленне RON

RON паказвае ўплыў VDS на ID, з'яўляецца адваротным нахілам датычнай лініі характарыстык сцёку ў пэўнай кропцы, у вобласці насычэння ID амаль не змяняецца з VDS, RON вельмі вялікі значэнне звычайна складае ад дзесяткаў кіла-Ом да сотняў кіла-Ом, таму што ў лічбавых схемах МАП-транзістары часта працуюць у стане праводзячага VDS = 0, таму на дадзены момант, уключанае супраціўленне RON можа быць набліжана па паходжанню RON, каб наблізіць, для агульнага MOSFET, значэнне RON у межах некалькіх сотняў Ом.

7, міжпалярная ёмістасць

Міжпалярная ёмістасць існуе паміж трыма электродамі: ёмістасць крыніцы засаўкі CGS, ёмістасць выхаду засаўкі CGD і ёмістасць крыніцы сцёку CDS-CGS і CGD складае каля 1~3 пФ, CDS складае каля 0,1~1 пФ.

8、Каэфіцыент нізкачашчыннага шуму

Шум выклікаецца парушэннямі ў руху носьбітаў па трубаправодзе. З-за яго прысутнасці на выхадзе ўзнікаюць нерэгулярныя змены напружання або току, нават калі ўзмацняльнік не падае сігнал. Шумавая характарыстыка звычайна выражаецца праз каэфіцыент шуму NF. Адзінка вымярэння - дэцыбел (дБ). Чым менш значэнне, тым менш шуму вырабляе трубка. Каэфіцыент нізкачашчыннага шуму - гэта каэфіцыент шуму, вымераны ў дыяпазоне нізкіх частот. Каэфіцыент шуму палявой трубкі складае каля некалькіх дБ, менш, чым у біпалярнага трыёда.