Якія чатыры вобласці MOSFET?

Чатыры вобласці MOSFET з паляпшэннем N-канала

(1) Вобласць зменнага супраціву (таксама званая ненасычанай вобласцю)

Ucs" Ucs (th) (напружанне ўключэння), uDs" UGs-Ucs (th), гэта вобласць злева ад папярэдне заціснутай трасы на малюнку, дзе канал уключаны. Значэнне UD невялікае ў гэтым рэгіёне, а супраціўленне канала ў асноўным кантралюецца толькі UG. Калі uGs вызначаны, ip і uDs знаходзяцца ў лінейнай залежнасці, вобласць апраксімуецца як набор прамых ліній. У гэты час палявая трубка D, S паміж эквівалентам напружання UGS

Кантралюецца па напрузе UGS зменным супрацівам.

(2) вобласць пастаяннага току (таксама вядомая як вобласць насычэння, вобласць узмацнення, актыўная вобласць)

Ucs ≥ Ucs (h) і Ubs ≥ UcsUssth), для фігуры правага боку папярэдне адхіленай ад трасы, але яшчэ не разбітай у рэгіёне, у рэгіёне, калі uGs павінен быць, ib амаль не змены з UDs, з'яўляецца пастаянным токам характарыстык. i кіруецца толькі UG, тады MOSFETD, S эквівалентна кіраванню UG напругай крыніцы току. MOSFET выкарыстоўваецца ў схемах узмацнення, як правіла, на працы MOSFET D, S эквівалентна напружанню uGs крыніцы току кіравання. МОП-транзістар, які выкарыстоўваецца ў схемах узмацнення, звычайна працуе ў рэгіёне, таму таксама вядомы як зона ўзмацнення.

(3) Вобласць абрэзкі (таксама званая зонай адсечкі)

Плошча адсячэння (таксама вядомая як вобласць адсячэння) для задавальнення UCS "Ues (th) для фігуры каля гарызантальнай восі вобласці, увесь канал заціснуты, вядомы як поўнае адсячэнне, io = 0 , трубка не працуе.

(4) размяшчэнне зоны паломкі

Вобласць паломкі знаходзіцца ў вобласці з правага боку малюнка. З ростам UD PN-пераход падвяргаецца занадта моцнаму зваротнаму напружанню і прабою, ip рэзка ўзрастае. Трубка павінна працаваць так, каб пазбегнуць працы ў зоне прабоя. Крывая перадатачнай характарыстыкі можа быць атрымана з крывой выходнай характарыстыкі. Аб метадзе, які выкарыстоўваецца ў якасці графіка для пошуку. Напрыклад, на малюнку 3 (а) для вертыкальнай лініі Ubs = 6V, яе перасячэння з рознымі крывымі, якія адпавядаюць значэнням i, Us у каардынатах ib-Uss, звязаных з крывой, гэта значыць для атрымання крывой перадатачнай характарыстыкі.

ПараметрыMOSFET

Ёсць шмат параметраў MOSFET, у тым ліку параметры пастаяннага току, параметры пераменнага току і лімітавыя параметры, але пры звычайным выкарыстанні трэба ўлічваць толькі наступныя асноўныя параметры: насычаны ток сток-крыніца, напружанне адціскання IDSS Up, (трубы пераходнага тыпу і знясіленне -тып трубкі з ізаляваным затворам або напружанне ўключэння UT (узмоцненыя трубкі з ізаляваным затворам), транс-праводнасць gm, напружанне прабоя крыніцы ўцечкі BUDS, максімальная рассейваная магутнасць PDSM і максімальны ток уцечкі-крыніцы IDSM.

(1) Насычаны ток сцёку

Ток уцечкі насычэння IDSS - гэта ток уцечкі ў МАП-транзістары з ізаляваным затворам злучэння або знясілення, калі напружанне на засаўцы UGS = 0.

(2) Напружанне адключэння

Напружанне адціскання UP - гэта напружанне на засаўцы ў МАП-транзістары з ізаляваным затворам пераходнага або знясіленага тыпу, якое проста адсякае паміж сцёкам і крыніцай. Як паказана на 4-25 для N-канальнай трубы UGS, крывую ID можна зразумець, каб убачыць значэнне IDSS і UP

MOSFET чатыры рэгіёны

(3) Напружанне ўключэння

Напружанне ўключэння UT - гэта напружанне на засаўцы ва ўзмоцненым МАП-транзістары з ізаляваным затворам, якое робіць крыніцу паміж стокамі проста праводнай.

(4) Праводнасць

Праводнасць gm - гэта здольнасць рэгулявання напружання крыніцы засаўкі UGS на ток сцёку ID, г.зн. стаўленне змены току сцёку ID да змены напружання крыніцы засаўкі UGS. 9m - важны параметр, які вызначае здольнасць узмацненняMOSFET.

(5) Напружанне прабоя крыніцы сцёку

Напружанне прабоя крыніцы сцёку BUDS адносіцца да напружання крыніцы засаўкі UGS пэўны, MOSFET нармальная праца можа прыняць максімальнае напружанне крыніцы сцёку. Гэта абмежавальны параметр, дабаўленае да працоўнага напружання MOSFET павінна быць менш, чым BUDS.

(6) Максімальная рассейваная магутнасць

Максімальная рассейваная магутнасць PDSM таксама з'яўляецца лімітавым параметрам, адносіцца даMOSFETпрадукцыйнасць не пагаршаецца, калі максімальна дапушчальная ўцечка крыніцы рассейвання магутнасці. Пры выкарыстанні MOSFET практычнае энергаспажыванне павінна быць менш, чым PDSM і пакінуць пэўны запас.

(7) Максімальны ток уцечкі

Максімальны ток уцечкі IDSM - гэта яшчэ адзін лімітавы параметр, адносіцца да нармальнай працы MOSFET, крыніца ўцечкі максімальнага току, які можа праходзіць праз MOSFET, працоўны ток не павінен перавышаць IDSM.

Прынцып дзеяння MOSFET

Прынцып працы MOSFET (N-канальнага паляпшэння MOSFET) заключаецца ў выкарыстанні VGS для кантролю колькасці "індуктыўнага зарада", каб змяніць стан правадзячага канала, утворанага гэтым "індуктыўным зарадам", а затым для дасягнення мэты кантролю току сцёку. Мэта - кантраляваць ток сцёку. У вытворчасці труб, у працэсе стварэння вялікай колькасці станоўчых іёнаў у ізаляцыйным пласце, так што на другім баку інтэрфейсу можа быць індукаваны больш адмоўных зарадаў, гэтыя адмоўныя зарады могуць быць індукаваныя.

Калі напружанне на засаўцы змяняецца, колькасць зарада, індукаванага ў канале, таксама змяняецца, шырыня праводзіць канала таксама змяняецца, і, такім чынам, ток сцёку ID змяняецца з напругай на засаўцы.

Роля MOSFET

I. MOSFET можа прымяняцца для ўзмацнення. З-за высокага ўваходнага супраціўлення ўзмацняльніка MOSFET кандэнсатар сувязі можа быць меншай ёмістасці без выкарыстання электралітычных кандэнсатараў.

Па-другое, высокі ўваходны супраціў MOSFET вельмі падыходзіць для пераўтварэння імпедансу. Звычайна выкарыстоўваецца ва ўваходным каскадзе шматкаскаднага ўзмацняльніка для пераўтварэння імпедансу.

MOSFET можа быць выкарыстаны ў якасці пераменнага рэзістара.

Па-чацвёртае, MOSFET можна лёгка выкарыстоўваць у якасці крыніцы пастаяннага току.

Па-пятае, MOSFET можа быць выкарыстаны ў якасці электроннага перамыкача.