Якія прычыны нагрэву MOSFET інвертара?

ІнвертарМАП-транзістарыпрацуюць у рэжыме пераключэння, і ток, які праходзіць праз трубкі, вельмі вялікі. Калі трубка выбрана няправільна, амплітуда кіруючага напружання недастаткова вялікая або цеплавыдзяленне ланцуга дрэннае, гэта можа прывесці да нагрэву MOSFET.

1, інвертар MOSFET ацяпленне сур'ёзна, варта звярнуць увагу на выбар MOSFET

MOSFET ў пераўтваральніку ў стане пераключэння звычайна патрабуе як мага большага току сцёку, як мага меншага супраціву ўключэння, што можа паменшыць падзенне напружання насычэння трубкі, тым самым памяншаючы трубку з моманту спажывання, памяншаючы нагрэў.

Праверце інструкцыю па MOSFET, і мы выявім, што чым вышэй значэнне вытрымлівальнай напругі MOSFET, тым большае яго супраціўленне ў адключэнні, а ў тых, хто мае высокі ток уцечкі і нізкае значэнне вытрымлівання напружання трубкі, яго супраціўленне ў адключэнні, як правіла, ніжэй за дзесяткі міліом.

Мяркуючы, што ток нагрузкі складае 5 А, мы выбіраем звычайна выкарыстоўваны пераўтваральнік MOSFET RU75N08R і значэнне вытрымлівання напружання 500 В 840 можа быць, іх ток сцёку складае 5 А або больш, але супраціўленне дзвюх трубак у адключэнні адрозніваецца, кіруюць аднолькавым токам , іх цеплавая розніца вельмі вялікая. Супраціў уключэння 75N08R складае ўсяго 0,008 Ом, у той час як супраціўленне ўключэння 840 складае 0,85 Ом, калі ток нагрузкі, які праходзіць праз трубку, складае 5 А, падзенне напругі на трубцы 75N08R складае ўсяго 0,04 В, у гэты час спажыванне трубкі MOSFET роўна толькі 0,2 Вт, у той час як падзенне напругі на трубцы 840 можа складаць да 4,25 Вт, спажыванне лямпы дасягае 21,25 Вт. З гэтага відаць, што чым меншае супраціўленне МОП-транзістара інвертара ў адключэнні, тым лепш, супраціўленне ўключэння трубкі вялікае, спажыванне трубкі пры вялікім току. наколькі магчыма.

2, амплітуда кіруючага напружання недастаткова вялікая

MOSFET - гэта прылада кантролю напружання, калі вы хочаце паменшыць спажыванне трубкі, паменшыць цяпло,MOSFETАмплітуда напружання на засаўцы павінна быць дастаткова вялікай, каб фронт імпульсу быў стромкім і прамым, вы можаце паменшыць падзенне напругі на трубцы, паменшыць спажыванне трубкі.

3, рассейванне цяпла MOSFET не з'яўляецца важкай прычынай

ІнвертарMOSFETацяпленне - гэта сур'ёзна. Паколькі інвертарны МАП-транзістар спажывае вялікае энергію, для працы звычайна патрабуецца досыць вялікая вонкавая плошча радыятара, а знешні радыятар і сам МОП-транзістар паміж радыятарам павінны знаходзіцца ў цесным кантакце (як правіла, патрабуецца пакрыццё цеплаправоднай сіліконавай змазкай ), калі знешні радыятар меншага памеру або кантакт з уласным радыятарам MOSFET недастаткова блізкі, гэта можа прывесці да нагрэву трубкі.

Інвертар MOSFET ацяпленне сур'ёзныя ёсць чатыры прычыны для рэзюмэ.

Лёгкі нагрэў MOSFET з'яўляецца нармальнай з'явай, але сур'ёзны нагрэў, які нават прыводзіць да згарання трубкі, ёсць наступныя чатыры прычыны:

1, праблема праектавання схемы

Няхай MOSFET працуе ў лінейным працоўным стане, а не ў стане камутацыйнай схемы. Гэта таксама адна з прычын нагрэву MOSFET. Калі N-MOS выконвае пераключэнне, напружанне G-ўзроўню павінна быць на некалькі В вышэй, чым крыніца сілкавання, каб быць цалкам уключаным, у той час як P-MOS - наадварот. Не цалкам адкрыты, і падзенне напружання занадта вялікае, што прыводзіць да спажывання энергіі, эквівалентны імпеданс пастаяннага току большы, падзенне напружання павялічваецца, таму U * I таксама павялічваецца, страты азначаюць цяпло. Гэта памылка, якую часцей за ўсё пазбягаюць пры распрацоўцы схемы.

2, занадта высокая частата

Асноўная прычына ў тым, што часам празмерная пагоня за гучнасцю, што прыводзіць да павелічэння частоты, MOSFET страты на вялікіх, так што цяпло таксама павялічваецца.

3, недастаткова цеплавой канструкцыі

Калі ток занадта высокі, намінальны ток MOSFET, як правіла, патрабуе добрага цеплавыдзялення для дасягнення. Такім чынам, ідэнтыфікатар меншы за максімальны ток, ён таксама можа моцна награвацца, спатрэбіцца дастаткова дапаможнага радыятара.

4, выбар MOSFET няправільны

Няправільная ацэнка магутнасці, унутранае супраціўленне MOSFET не ўлічваецца цалкам, што прыводзіць да павелічэння імпедансу пераключэння.