МАП-транзістары малога корпуса

Калі MOSFET падлучаны да шыны і зямлі нагрузкі, выкарыстоўваецца бакавы выключальнік высокага напружання. Часта Р-каналМАП-транзістарывыкарыстоўваюцца ў гэтай тапалогіі, зноў жа з меркаванняў прывада напругі. Вызначэнне намінальнага току Другі крок заключаецца ў выбары намінальнага току MOSFET. У залежнасці ад структуры ланцуга, гэты намінальны ток павінен быць максімальным токам, які можа вытрымаць нагрузка пры любых абставінах.

Як і ў выпадку з напругай, дызайнер павінен пераканацца, што абраныMOSFETможа вытрымаць гэты намінальны ток, нават калі сістэма генеруе імпульсныя токі. Два разгляданых сучасных выпадку - гэта бесперапынны рэжым і скокі імпульсу. На гэты параметр спасылаецца табліца дадзеных FDN304P, дзе MOSFET знаходзіцца ва ўстойлівым стане ў рэжыме бесперапыннай праводнасці, калі праз прыладу бесперапынна цячэ ток.

Скачкі імпульсу - гэта калі праз прыладу праходзіць вялікі ўсплёск (або ўсплёск) току. Пасля таго, як максімальны ток пры гэтых умовах быў вызначаны, застаецца проста выбраць прыладу, якая можа вытрымаць гэты максімальны ток.

Пасля выбару намінальнага току неабходна таксама разлічыць страты праводнасці. На практыцы МАП-транзістары не з'яўляюцца ідэальнымі прыладамі, таму што падчас працэсу праводнасці адбываецца страта магутнасці, якая называецца стратай праводнасці.

MOSFET дзейнічае як пераменны рэзістар, калі ён уключаны, што вызначаецца RDS(ON) прылады, і значна змяняецца ў залежнасці ад тэмпературы. Магутнасць рассейвання прылады можа быць разлічана з Iload2 x RDS(ON), і паколькі супраціўленне ўключэння змяняецца ў залежнасці ад тэмпературы, магутнасць рассейвання змяняецца прапарцыйна. Чым вышэй напружанне VGS, якое падаецца на MOSFET, тым меншым будзе RDS(ON); і наадварот, тым вышэй будзе RDS(ON). Для распрацоўшчыка сістэмы тут уступаюць у сілу кампрамісы ў залежнасці ад напружання сістэмы. Для партатыўных канструкцый прасцей (і часцей) выкарыстоўваць меншае напружанне, у той час як для прамысловых канструкцый можна выкарыстоўваць больш высокае напружанне.

Звярніце ўвагу, што супраціўленне RDS(ON) трохі ўзрастае з павелічэннем току. Варыяцыі розных электрычных параметраў рэзістара RDS(ON) можна знайсці ў тэхнічным пашпарце, прадстаўленым вытворцам.

Вызначэнне цеплавых патрабаванняў Наступным крокам у выбары MOSFET з'яўляецца разлік цеплавых патрабаванняў сістэмы. Дызайнер павінен разгледзець два розныя сцэнары, найгоршы і сапраўдны. Рэкамендуецца выкарыстоўваць разлік для найгоршага сцэнарыя, паколькі гэты вынік забяспечвае большы запас трываласці і гарантуе, што сістэма не выйдзе з ладу.

Ёсць таксама некаторыя вымярэнні, пра якія варта ведацьMOSFETтэхнічны ліст; напрыклад, цеплавое супраціўленне паміж паўправадніковым злучэннем спакаванай прылады і навакольным асяроддзем і максімальная тэмпература злучэння. Тэмпература спалучэння прылады роўная максімальнай тэмпературы навакольнага асяроддзя плюс твор цеплавога супраціўлення і рассейванай магутнасці (тэмпература спалучэння = максімальная тэмпература навакольнага асяроддзя + [тэрмічнае супраціўленне х рассейваная магутнасць]). З гэтага ўраўнення можна вырашыць максімальнае рассейванне магутнасці сістэмы, якое па вызначэнні роўна I2 x RDS(ON).

Паколькі канструктар вызначыў максімальны ток, які будзе праходзіць праз прыладу, RDS(ON) можна разлічыць для розных тэмператур. Важна адзначыць, што, маючы справу з простымі цеплавымі мадэлямі, дызайнер павінен таксама ўлічваць цеплаёмістасць паўправадніковага пераходу/корпуса прылады і корпуса/асяроддзя; г.зн. патрабуецца, каб друкаваная плата і ўпакоўка не награваліся адразу.

Звычайна ў PMOSFET прысутнічае паразітны дыёд, функцыя дыёда - прадухіляць зваротнае злучэнне крыніца-сцёк. Для PMOS перавага перад NMOS заключаецца ў тым, што яго напружанне ўключэння можа быць роўна 0, а розніца напружання паміж Напружанне DS невялікае, у той час як пры ўмове NMOS патрабуецца, каб VGS было большым за парогавае, што прывядзе да таго, што кіруючае напружанне непазбежна будзе большым за неабходнае, і будуць непатрэбныя клопаты. PMOS абраны ў якасці пераключальніка кіравання, ёсць наступныя два прыкладання: першае прыкладанне, PMOS для выбару напружання, калі існуе V8V, то ўсё напружанне забяспечваецца V8V, PMOS будзе выключаны, VBAT не забяспечвае напругу на VSIN, і калі V8V нізкі, VSIN сілкуецца ад 8В. Звярніце ўвагу на зазямленне R120, рэзістара, які няўхільна зніжае напружанне засаўкі, каб забяспечыць належнае ўключэнне PMOS, небяспека стану, звязаная з высокім імпедансам засаўкі, апісаным раней.

Функцыі D9 і D10 заключаюцца ў прадухіленні рэзервовага капіравання напружання, а D9 можна не выкарыстоўваць. Варта адзначыць, што DS ланцуга фактычна адваротны, так што функцыя пераключальнай трубкі не можа быць дасягнута праводнасцю далучанага дыёда, што варта адзначыць у практычных прымяненнях. У гэтай схеме кантрольны сігнал PGC кантралюе, ці падае V4.2 харчаванне на P_GPRS. Гэтая схема, клемы крыніцы і сцёку не злучаныя з процілеглымі, R110 і R113 існуюць у тым сэнсе, што R110 ток кіравання затворам не занадта вялікі, R113 нармальнасць кіравання засаўкай, R113 падцягванне для высокага, як PMOS, але таксама можна разглядаць як падцягванне сігналу кіравання, калі ўнутраныя штыфты MCU і падцягванне, гэта значыць выхад з адкрытым сцёкам, калі выхад не працуе PMOS выключаны, у гэты час яму спатрэбіцца знешняе напружанне, каб даць падцягванне, таму рэзістар R113 выконвае дзве ролі. r110 можа быць менш, да 100 ом можа быць.

МАП-транзістары малога корпуса адыгрываюць унікальную ролю.