Распазнаванне MOSFET з ізаляваным пластовым засаўкам

Псеўданім MOSFET тыпу затвора ізаляцыйнага пластаMOSFET (далей MOSFET), які мае абалонку кабеля з дыяксіду крэмнія ў сярэдзіне напружання засаўкі і сцёку крыніцы.

MOSFET таксамаN-канал і P-канал дзве катэгорыі, але кожная катэгорыя дзеліцца на два тыпу ўзмацнення і знясілення святла, такім чынам, усяго існуе чатыры тыпы:Пашырэнне N-канала, Пашырэнне P-канала, N-канальнае знясіленне святла, P-канальны тып знясілення святла. Але там, дзе напружанне крыніцы засаўкі роўна нулю, ток сцёку таксама роўны нулю. Аднак калі напружанне крыніцы засаўкі роўна нулю, ток сцёку не роўны нулю, яны класіфікуюцца як святлоспажывальныя трубкі.
Палепшаны прынцып MOSFET:

Пры працы ў сярэдзіне крыніцы засаўкі не выкарыстоўваецца напружанне, сярэдзіна крыніцы сцёку PN пераход знаходзіцца ў процілеглым кірунку, таму не будзе праводзіць канала, нават калі сярэдзіна крыніцы сцёку з напругай, токаправодная траншэя электрычнасць зачынена, не магчыма мець працоўны ток у адпаведнасці з. Калі сярэдзіна крыніцы засаўкі плюс напружанне станоўчага напрамку да пэўнага значэння, у сярэдзіне крыніцы сцёку з'явіцца правадзячы ахоўны канал, так што праводная траншэя, толькі што створаная гэтай напругай крыніцы засаўкі, называецца напругай адкрытага ходу VGS, Чым больш сярэдняе напружанне крыніцы засаўкі, то праводзіць траншэя шырэй, што, у сваю чаргу, робіць большы паток электрычнасці.

Прынцып рассейвання святла MOSFET:

Падчас працы ў сярэдзіне крыніцы сцёку не выкарыстоўваецца напружанне, у адрозненне ад МАП-транзістара ўзмацнення тыпу, а ў сярэдзіне крыніцы сцёку існуе токаправодны канал, таму да сярэдзіны крыніцы сцёку дадаецца толькі станоўчае напружанне, якое прыводзіць да патоку сцёкавага току. Больш за тое, крыніца засаўкі ў сярэдзіне станоўчага напрамку напружання, пашырэнне токаправоднага канала, даданне супрацьлеглага напрамку напружання, праводны канал скарачаецца, праз паток электрычнасці будзе менш, з павышэннем параўнання MOSFET, ён таксама можа быць у станоўчай і адмоўнай колькасці пэўнай колькасці абласцей у праводзячым канале.

Эфектыўнасць MOSFET:

Па-першае, MOSFET выкарыстоўваюцца для павелічэння. Паколькі ўваходнае супраціўленне ўзмацняльніка MOSFET вельмі высокае, таму кандэнсатар фільтра можа быць меншым, без неабходнасці ўжываць электралітычныя кандэнсатары.

Па-другое, MOSFET вельмі высокае ўваходнае супраціўленне асабліва падыходзіць для пераўтварэння характарыстычнага імпедансу. Звычайна выкарыстоўваецца ва ўваходным каскадзе шматузроўневага ўзмацняльніка для пераўтварэння характарыстычнага імпедансу.

MOSFET можа быць выкарыстаны ў якасці рэгуляванага рэзістара.

Па-чацвёртае, MOSFET можа быць зручным у якасці крыніцы харчавання пастаяннага току.

V. MOSFET можа выкарыстоўвацца ў якасці перамыкаючага элемента.