Якія прычыны нагрэву MOSFET інвертара?

MOSFET інвертара працуе ў стане пераключэння, і ток, які праходзіць праз MOSFET, вельмі вялікі. Калі МАП-транзістар выбраны няправільна, амплітуда кіруючага напружання недастаткова вялікая або цеплавыдзяленне ў ланцугу дрэннае, гэта можа прывесці да нагрэву МАП-транзістара.

 

1, інвертар MOSFET ацяпленне сур'ёзна, варта звярнуць увагу наMOSFETвыбар

MOSFET ў інвертары ў стане пераключэння звычайна патрабуе як мага большага току сцёку, як мага меншага супраціву ўключэння, каб вы маглі паменшыць падзенне напружання насычэння MOSFET, тым самым памяншаючы MOSFET з спажывання, паменшыць цяпло.

Праверце інструкцыю па MOSFET, мы выявім, што чым вышэй значэнне вытрымлівальнай напругі MOSFET, тым большае яго супраціўленне ў адключэнні, а ў тых, хто мае высокі ток уцечкі, нізкае значэнне вытрымлівання напружання MOSFET, яго супраціўленне ў адключэнні звычайна ніжэй за дзесяткі міліом.

Калі выказаць здагадку, што ток нагрузкі складае 5 А, мы выбіраем звычайна выкарыстоўваны інвертар MOSFETRU75N08R і значэнне вытрымліванага напружання 500 В можа быць 840, іх ток уцечкі складае 5 А або больш, але супраціўленне ўключэння двух МАП-транзістораў адрозніваецца, кіруюць аднолькавым токам , іх цеплавая розніца вельмі вялікая. Супраціў уключэння 75N08R складае ўсяго 0,008Ω, у той час як супраціўленне ўключанага 840. Супраціўленне ўключанага 75N08R складае ўсяго 0,008Ω, у той час як супраціўленне ўключанага 840 складае 0,85Ω. Калі ток нагрузкі, які праходзіць праз MOSFET, складае 5 А, падзенне напружання MOSFET 75N08R складае ўсяго 0,04 В, а спажыванне MOSFET MOSFET складае ўсяго 0,2 Вт, у той час як падзенне напружання MOSFET 840 можа складаць да 4,25 Вт, а спажыванне MOSFET дасягае 21,25 Вт. З гэтага відаць, што супраціўленне ўключэння MOSFET адрозніваецца ад супраціўлення ўключэння 75N08R, і іх вылучэнне цяпла вельмі моцна адрозніваецца. Чым менш уключанае супраціўленне MOSFET, тым лепш, уключанае супраціўленне MOSFET, трубка MOSFET пры высокім спажыванні току даволі вялікая.

 

2, амплітуда кіруючага напружання недастаткова вялікая

МАП-транзістар з'яўляецца прыладай кантролю напругі, калі вы хочаце паменшыць спажыванне трубкі МАП-транзістара, паменшыць нагрэў, амплітуда напружання на засаўцы МАП-транзістара павінна быць дастаткова вялікай, фронт імпульсу прывада круты, можа паменшыцьMOSFETпадзенне напружання трубкі, паменшыць спажыванне трубкі MOSFET.

 

3, рассейванне цяпла MOSFET не з'яўляецца важкай прычынай

Награванне інвертарнага MOSFET - гэта сур'ёзна. Паколькі расход трубкі MOSFET інвертара вялікі, для працы звычайна патрабуецца дастаткова вялікая вонкавая плошча радыятара, а знешні радыятар і сам MOSFET паміж радыятарам павінны знаходзіцца ў цесным кантакце (як правіла, патрабуецца пакрыццё цеплаправодным сіліконавая змазка), калі знешні радыятар меншага памеру або калі сам МОП-транзістар знаходзіцца недастаткова блізка да кантакту радыятара, можа прывесці да нагрэву МОП-транзістара.

Інвертар MOSFET ацяпленне сур'ёзныя ёсць чатыры прычыны для рэзюмэ.

Лёгкі нагрэў MOSFET з'яўляецца нармальнай з'явай, але нагрэў сур'ёзны, і нават прыводзіць да таго, што MOSFET згарае, ёсць наступныя чатыры прычыны:

 

1, праблема праектавання схемы

Няхай MOSFET працуе ў лінейным працоўным стане, а не ў стане камутацыйнай схемы. Гэта таксама адна з прычын нагрэву MOSFET. Калі N-MOS выконвае пераключэнне, напружанне G-ўзроўню павінна быць на некалькі В вышэй, чым крыніца сілкавання, каб быць цалкам уключаным, у той час як P-MOS - наадварот. Не цалкам адкрыты, і падзенне напружання занадта вялікае, што прыводзіць да спажывання энергіі, эквівалентны імпеданс пастаяннага току большы, падзенне напружання павялічваецца, таму U * I таксама павялічваецца, страты азначаюць цяпло. Гэта памылка, якую часцей за ўсё пазбягаюць пры распрацоўцы схемы.

 

2, занадта высокая частата

Асноўная прычына ў тым, што часам празмерная пагоня за гучнасцю, якая прыводзіць да павелічэння частаты,MOSFETстраты на вялікія, таму цяпло таксама павялічваецца.

 

3, недастаткова цеплавой канструкцыі

Калі ток занадта высокі, для дасягнення намінальнага току MOSFET звычайна патрабуецца добрае рассейванне цяпла. Такім чынам, ідэнтыфікатар меншы за максімальны ток, ён таксама можа моцна награвацца, спатрэбіцца дастаткова дапаможнага радыятара.

 

4, выбар MOSFET няправільны

Няправільная ацэнка магутнасці, унутранае супраціўленне MOSFET улічваецца не цалкам, што прыводзіць да павышэння імпедансу пераключэння.