МАП-транзістарыгуляць ролюу ланцугах пераключэннязаключаецца ў кіраванні ўключэннем і выключэннем ланцуга і пераўтварэннем сігналу.МАП-транзістары можна ў цэлым падзяліць на дзве катэгорыі: N-канал і P-канал.
У N-каналеMOSFETсхема, штыфт BEEP высокі, каб уключыць зумер, і нізкі, каб выключыць зумер.P-каналMOSFETдля кіравання ўключэннем і выключэннем сілкавання модуля GPS, PIN GPS_PWR знаходзіцца на нізкім узроўні, калі ўключаны, модуль GPS з'яўляецца нармальнае харчаванне, і высокі, каб выключыць сілкаванне модуля GPS.
П-каналMOSFETу крэмніевай падкладцы N-тыпу на вобласці P + ёсць два: сцёк і крыніца. Гэтыя два полюсы не праводзяць адзін аднаго, калі да крыніцы пры зазямленні дадаецца дастаткова станоўчага напружання, крэмніевая паверхня N-тыпу пад засаўкай з'явіцца ў выглядзе зваротнага пласта P-тыпу ў канал, які злучае сцёк і крыніцу . Змена напружання на засаўцы змяняе шчыльнасць адтулін у канале, такім чынам, змяняючы супраціў канала. Гэта называецца палявым транзістарам з паляпшэннем P-канала.
Характарыстыкі NMOS, Vgs, пакуль будзе ўключана больш за пэўнае значэнне, дастасавальныя да корпуса прывада нізкага ўзроўню з зазямленнем крыніцы пры ўмове, што напружанне на засаўцы складае 4 В або 10 В на лініі.
Характарыстыкі PMOS, у адрозненне ад NMOS, будуць уключацца, пакуль Vgs менш пэўнага значэння, і ён падыходзіць для выкарыстання ў выпадку прывада высокага класа, калі крыніца падключана да VCC. Тым не менш, з-за невялікай колькасці тыпаў замены, высокага супраціву і высокай цаны, хоць PMOS можа быць вельмі зручна выкарыстоўваць у выпадку прывада высокага класа, таму ў прывадзе высокага класа звычайна ўсё яшчэ выкарыстоўваецца NMOS.
Увогуле,МАП-транзістарымаюць высокі ўваходны супраціў, палягчаюць прамую сувязь у схемах і іх адносна лёгка вырабіць у буйныя інтэгральныя схемы.
Час публікацыі: 20 ліпеня 2024 г
