Выбар правільнага MOSFET для драйвера схемы з'яўляецца вельмі важнай часткайMOSFET выбар не з'яўляецца добрым непасрэдна паўплывае на эфектыўнасць ўсёй схемы і кошт праблемы, наступнае мы гаворым разумны кут для выбару MOSFET.
1, выбар N-канала і P-канала
(1) У звычайных схемах, калі МАП-транзістар зазямлены і нагрузка падключана да магістральнага напружання, МАП-транзістар з'яўляецца бакавым выключальнікам нізкага напружання. У бакавым выключальніку нізкага напружання варта выкарыстоўваць N-канальны MOSFET з-за меркаванняў напружання, неабходнага для выключэння або ўключэння прылады.
(2), калі MOSFET падлучаны да шыны і нагрузка заземлена, трэба выкарыстоўваць бакавы выключальнік высокага напружання. П-каналМАП-транзістары звычайна выкарыстоўваюцца ў гэтай тапалогіі, зноў жа з меркаванняў прывада напругі.
2, хочаце выбраць правільнаеMOSFET, неабходна вызначыць напружанне, неабходнае для прывада намінальнага напружання, а таксама ў канструкцыі найбольш просты спосаб рэалізацыі. Калі намінальнае напружанне больш, прылада, натуральна, патрабуе большага кошту. Для партатыўных канструкцый часцей з'яўляюцца больш нізкія напружання, у той час як для прамысловых канструкцый патрабуюцца больш высокія напружання. Зыходзячы з практычнага вопыту, намінальнае напружанне павінна быць больш, чым напружанне магістралі або шыны. Гэта забяспечыць дастатковую абарону бяспекі, так што MOSFET не выйдзе з ладу.
3, а затым структуру ланцуга, намінальны ток павінен быць максімальным токам, які можа вытрымаць нагрузка пры любых абставінах, што таксама заснавана на бяспецы неабходных аспектаў, каб разгледзець.
4. Нарэшце, вызначаецца прадукцыйнасць пераключэння MOSFET. Ёсць шмат параметраў, якія ўплываюць на прадукцыйнасць пераключэння, але найбольш важнымі з'яўляюцца ёмістасць затвор/сцёк, засаўка/крыніца і ёмістасць сцёк/крыніца. Гэтыя ёмістасці ствараюць страты пры пераключэнні ў прыладзе, таму што яны павінны зараджацца падчас кожнага пераключэння.
Час публікацыі: 20 мая 2024 г
