Зірніце на MOSFET

МАП-транзістары ізалююць МАП-транзістары ў інтэгральных схемах. МАП-транзістары, як адно з самых асноўных прылад упаўправаднік поле, шырока выкарыстоўваюцца ў схемах на ўзроўні платы, а таксама ў дызайне мікрасхем. Сцёк і крыніцаМАП-транзістары могуць узаемазамяняцца і ўтвараюцца ў задняй частцы P-тыпу з вобласцю N-тыпу. Увогуле, дзве крыніцы ўзаемазаменныя, абедзве ўтвараюць вобласць N-тыпу ўЗадняя брама П-тыпу. У цэлым гэтыя дзве зоны аднолькавыя, і нават калі гэтыя дзве секцыі пераключыць, на прадукцыйнасць прылады гэта не паўплывае. Такім чынам, прылада лічыцца сіметрычным.

прынцып:

MOSFET выкарыстоўвае VGS для кіравання велічынёй "індукаванага зарада", каб змяніць стан праводзіць канала, утворанага гэтымі "індукаванымі зарадамі", каб кантраляваць ток сцёку. Калі MOSFET вырабляюцца, вялікая колькасць станоўчых іёнаў з'яўляецца ў ізаляцыйным пласце з дапамогай спецыяльных працэсаў, так што больш адмоўных зарадаў можна адчуць на другім баку мяжы, а N-вобласць прымешак з высокай пранікальнасцю злучаецца гэтыя адмоўныя зарады, і ўтвараецца праводзіць канал, і генеруецца адносна вялікі ток сцёку, ID, нават калі VGS роўна 0. Калі напружанне на засаўцы змяняецца, колькасць індукаванага зарада ў канале таксама змяняецца, і шырыня праводнага канала змяняецца ў той жа ступені. Калі напружанне на засаўцы змяняецца, колькасць індукаванага зарада ў канале таксама зменіцца, і шырыня ў праводзячым канале таксама зменіцца, таму ID току сцёку будзе змяняцца разам з напругай на засаўцы.

роля:

1. Яго можна прымяніць да схемы ўзмацняльніка. З-за высокага ўваходнага супраціўлення ўзмацняльніка MOSFET ёмістасць сувязі можа быць меншай, і нельга выкарыстоўваць электралітычныя кандэнсатары.

Высокі ўваходны супраціў падыходзіць для пераўтварэння імпедансу. Ён часта выкарыстоўваецца для пераўтварэння імпедансу ва ўваходным каскадзе шматкаскадных узмацняльнікаў.

3、Ён можа быць выкарыстаны ў якасці пераменнага рэзістара.

4, можа быць выкарыстаны ў якасці электроннага выключальніка.

МАП-транзістары цяпер выкарыстоўваюцца ў шырокім спектры прымянення, уключаючы высокачашчынныя галоўкі ў тэлевізарах і імпульсных крыніцах харчавання. У наш час звычайныя біпалярныя транзістары і MOS аб'ядноўваюцца ў IGBT (біпалярны транзістар з ізаляваным затворам), які шырока выкарыстоўваецца ў раёнах з высокай магутнасцю, а інтэгральныя схемы MOS маюць характарыстыку нізкага энергаспажывання, і цяпер працэсары шырока выкарыстоўваюцца ў Схемы MOS.