Структура метал-аксід-паўправаднік крышталічнага транзістара, шырока вядомая якMOSFET, дзе МАП-транзістары дзеляцца на МАП-транзістары P-тыпу і МАП-транзістары N-тыпу. Інтэгральныя схемы, якія складаюцца з MOSFET, таксама называюцца інтэгральнымі схемамі MOSFET, а блізкія інтэгральныя схемы MOSFET, якія складаюцца з PMOSFET іNMOSFET называюцца інтэгральнымі схемамі CMOSFET.
MOSFET, які складаецца з падкладкі p-тыпу і дзвюх абласцей n-распаўсюджвання з высокімі значэннямі канцэнтрацыі, называецца n-каналамMOSFET, а кандуктыўны канал, выкліканы кандуктыўным каналам n-тыпу, выкліканы шляхамі n-распаўсюджвання ў двух шляхах n-распаўсюджвання з высокімі значэннямі канцэнтрацыі, калі трубка праводзіць. n-канальныя патоўшчаныя МАП-транзістары маюць n-каналы, выкліканыя праводзячым каналам, калі станоўчае накіраванае зрушэнне павышаецца як мага больш на засаўцы і толькі тады, калі праца крыніцы засаўкі патрабуе працоўнага напружання, якое перавышае парогавае напружанне. МАП-транзістары з знясіленнем n-каналаў - гэта тыя, якія не гатовыя да напружання на засаўцы (для працы крыніцы на засаўцы патрабуецца працоўнае напружанне, роўнае нулю). N-канальны МАП-транзістар са знясіленнем святла - гэта n-канальны МАП-транзістар, у якім правадзячы канал узнікае, калі напружанне на засаўцы (рабочае напружанне крыніцы засаўкі роўна нулю) не падрыхтавана.
Інтэгральныя схемы NMOSFET - гэта N-канальная схема харчавання MOSFET, інтэгральныя схемы NMOSFET, уваходнае супраціўленне вельмі высокае, пераважная большасць не павінна пераварваць паглынанне патоку магутнасці, і, такім чынам, інтэгральныя схемы CMOSFET і NMOSFET злучаны без неабходнасці прымаць у ўлічваць нагрузку патоку магутнасці. Інтэгральныя схемы NMOSFET, пераважная большасць выбару адной групы станоўчай імпульснай схемы крыніцы харчавання, схемы харчавання. Большасць інтэгральных схем NMOSFET выкарыстоўваюць адзіную станоўчую камутацыйную схему крыніцы харчавання, і для 9V для большага. Для інтэгральных схем CMOSFET трэба выкарыстоўваць толькі тую ж схему імпульснага крыніцы сілкавання, што і для інтэгральных схем NMOSFET, іх можна неадкладна падключыць да інтэгральных схем NMOSFET. Тым не менш, ад NMOSFET да CMOSFET неадкладна падключаны, таму што выхадны супраціў падцягвання NMOSFET меншы, чым супраціў інтэгральнай схемы CMOSFET з ключом падцягвання, таму паспрабуйце ўжыць рознасць патэнцыялаў падцягвальны рэзістар R, значэнне рэзістара R роўна звычайна ад 2 да 100 кОм.
Канструкцыя N-канальных патоўшчаных MOSFET
На крэмніевай падкладцы P-тыпу з нізкім значэннем канцэнтрацыі легіравання зроблены дзве вобласці N з высокім значэннем канцэнтрацыі легіравання, а два электроды выцягнуты з металічнага алюмінія, каб служыць сцёкам d і крыніцай s адпаведна.
Затым паверхню паўправадніковага кампанента маскіруюць вельмі тонкім пластом ізаляцыйнай трубкі з дыяксіду крэмнія, у сцёку - ізаляцыйную трубку вытоку паміж сцёкам і вытокам іншага алюмініевага электрода, як затвор g.
У падкладку таксама выводзяць электрод B, які складаецца з N-канальнага тоўстага MOSFET. Крыніца MOSFET і падкладка, як правіла, злучаныя разам, пераважная большасць труб на заводзе ўжо даўно падключана да яго, яго затвор і іншыя электроды ізаляваны паміж корпусам.
Час размяшчэння: 26 мая 2024 г
