З сучаснымі драйверамі MOS існуе некалькі экстраардынарных патрабаванняў:
1. Прымяненне нізкага напружання
Пры ўжыванні пераключэння 5Вкрыніца харчавання, у гэты час, калі выкарыстанне традыцыйнай структуры татэмнага слупа, таму што трыёд можа быць толькі 0,7 В уверх і ўніз, у выніку чаго пэўная канчатковая нагрузка засаўкі на напружанне складае толькі 4,3 В, у гэты час, выкарыстанне дапушчальнага напружання засаўкі 4,5 ВМАП-транзістары існуе пэўная ступень рызыкі.Такая ж сітуацыя таксама адбываецца пры ўжыванні 3В або іншага нізкавольтнага імпульснага крыніцы харчавання.
2.Шырокае прымяненне напружання
Напружанне ключа не мае лікавага значэння, яно змяняецца час ад часу або з-за іншых фактараў. Гэта змяненне прыводзіць да таго, што напружанне прывада, якое падаецца MOSFET ланцугом ШІМ, нестабільна.
Каб лепш замацаваць МАП-транзістар пры высокіх напружаннях на засаўцы, многія МАП-транзістары маюць убудаваныя рэгулятары напружання для абмежавання велічыні напружання на засаўцы. У гэтым выпадку, калі напружанне прывада перавышае напружанне рэгулятара, адбываецца вялікая страта статычнай функцыі.
У той жа час, калі асноўны прынцып дзельніка напружання рэзістара выкарыстоўваецца для зніжэння напружання на засаўцы, атрымаецца так, што калі напружанне ключа вышэй, MOSFET працуе добра, а калі напружанне ключа паменшана, напружанне на засаўцы не працуе дастаткова, што прыводзіць да недастатковага ўключэння і выключэння, што павысіць функцыянальную страту.
3. Падвойнае напружанне
У некаторых схемах кіравання лагічная частка схемы ўжывае тыповае напружанне дадзеных 5 В або 3,3 В, у той час як частка выхадной магутнасці ўжывае 12 В або больш, і абодва напружання падключаюцца да агульнай зямлі.
Гэта дае зразумець, што ланцуг сілкавання павінен быць выкарыстаны так, каб бок нізкага напружання мог разумна маніпуляваць MOSFET высокага напружання, у той час як MOSFET высокага напружання зможа справіцца з тымі ж цяжкасцямі, згаданымі ў 1 і 2.
У гэтых трох выпадках канструкцыя татэмнага слупа не можа задаволіць патрабаванні да выхаду, і многія існуючыя мікрасхемы драйвераў MOS, здаецца, не ўключаюць канструкцыю абмежавання напружання на засаўцы.
Час публікацыі: 24 ліпеня 2024 г
