MOSFET (метал-аксід-паўправадніковы палявы транзістар) часта разглядаюцца як цалкам кіраваныя прылады. Гэта адбываецца таму, што працоўны стан (уключана або выключана) MOSFET цалкам кантралюецца напругай засаўкі (Vgs) і не залежыць ад базавага току, як у выпадку біпалярнага транзістара (BJT).
У МАП-транзістары напружанне на засаўцы Vgs вызначае, ці сфарміраваны правадны канал паміж крыніцай і сцёкам, а таксама шырыню і праводнасць канала. Калі Vgs перавышае парогавае напружанне Vt, утвараецца правадзячы канал і MOSFET пераходзіць у уключаны стан; калі Vgs апускаецца ніжэй за Vt, які праводзіць канал знікае, і MOSFET знаходзіцца ў стане адключэння. Гэты кантроль цалкам кантралюецца, таму што напружанне засаўкі можа незалежна і дакладна кантраляваць працоўны стан MOSFET без залежнасці ад іншых параметраў току або напружання.
Наадварот, на працоўны стан напалову кіраваных прылад (напрыклад, тырыстараў) уплываюць не толькі кіруючае напружанне або ток, але і іншыя фактары (напрыклад, аноднае напружанне, ток і г.д.). У выніку цалкам кіраваныя прылады (напрыклад, MOSFET) звычайна забяспечваюць лепшую прадукцыйнасць з пункту гледжання дакладнасці кіравання і гнуткасці.
Падводзячы вынік, MOSFET - гэта цалкам кіраваныя прылады, працоўны стан якіх цалкам кантралюецца напругай на засаўцы, і яны маюць такія перавагі, як высокая дакладнасць, высокая гнуткасць і нізкае энергаспажыванне.
Час публікацыі: 20 верасня 2024 г
