У цяперашні час, з хуткім развіццём навукі і тэхнікі, паўправаднікі выкарыстоўваюцца ва ўсё большай колькасці галін прамысловасці, у якіхMOSFET таксама лічыцца вельмі распаўсюджаным паўправадніковым прыладай, наступным крокам будзе зразумець, у чым розніца паміж характарыстыкамі біпалярнага сілавога крышталічнага транзістара і выхадной магутнасці MOSFET.
1, спосаб працы
MOSFET з'яўляецца праца, неабходная для садзейнічання працоўнага напружання, схемы растлумачыць адносна проста, спрыяць магутнасці мала; магутнасці крышталічнага транзістара з'яўляецца паток магутнасці для садзейнічання распрацоўцы праграмы з'яўляецца больш складаным, каб садзейнічаць спецыфікацыі выбару цяжка прасоўваць спецыфікацыі паставіць пад пагрозу агульную хуткасць пераключэння блока харчавання.
2, агульная хуткасць пераключэння крыніцы харчавання
MOSFET ўплывае на тэмпературу мала, крыніца харчавання пераключэння выходнай магутнасці можа гарантаваць, што больш за 150 кГц; Транзістар магутнага крышталя мае вельмі мала часу захоўвання вольнага зарада, абмежавання хуткасці пераключэння крыніцы харчавання, але яго выхадная магутнасць звычайна не перавышае 50 кГц.
3、Бяспечная рабочая зона
Магутнасць MOSFET не мае другаснай асновы, а бяспечная рабочая зона шырокая; сілавы крышталічны транзістар мае другасную аснову, якая абмяжоўвае бяспечную рабочую вобласць.
4、Працоўнае патрабаванне да электрычнага правадыра, працоўнае напружанне
МагутнасцьMOSFET належыць да тыпу высокага напружання, патрабаванне да працоўнай праводнасці, працоўнае напружанне вышэй, ёсць станоўчы тэмпературны каэфіцыент; сілавы крышталічны транзістар незалежна ад таго, колькі грошай устойлівы да працоўнага патрабавання да працоўнага напружання, працоўнае напружанне працоўнага патрабавання да электрычнага правадыра ніжэй і мае адмоўны тэмпературны каэфіцыент.
5, максімальная магутнасць патоку
Магутнасць MOSFET ў ланцугу імпульснага крыніцы харчавання ланцуга сілкавання ланцуга сілкавання ў якасці выключальніка харчавання, у працы і стабільнай працы ў сярэдзіне, максімальны паток магутнасці ніжэй; і сілавы крышталічны транзістар у працы і стабільнай працы ў сярэдзіне, максімальны паток магутнасці вышэй.
6、Кошт прадукту
Кошт магутнасці MOSFET крыху вышэй; кошт сілавога крышталічнага трыёда некалькі ніжэй.
7、Эфект пранікнення
Power MOSFET не мае эфекту пранікнення; сілавы крышталічны транзістар мае эфект пранікнення.
8、Страты пры пераключэнні
Страты пераключэння MOSFET не вялікія; страты пры пераключэнні сілавога крышталічнага транзістара адносна вялікія.
Акрамя таго, пераважная большасць магутнасці MOSFET інтэграваны амартызуе дыёд, у той час як біпалярны сілавы крышталічны транзістар амаль не ўбудаваны амартызуе дыёд. MOSFET амартызуе дыёд таксама можа быць універсальным магнітам для пераключэння ланцугоў крыніцы харчавання магнітных шпулек, каб даць кут каэфіцыента магутнасці канала бяспекі патоку энергіі. Палявая трубка ў амартызацыйным дыёдзе ва ўсім працэсе выключэння з агульным дыёдам, паколькі існаванне зваротнага току аднаўлення, у гэты час дыёд, з аднаго боку, каб заняць сцёк - крыніца полюс станоўчы сярэдзіна істотнага павышэнне патрабаванняў да працы працоўнага напружання, з другога боку, і зваротны ток аднаўлення.
Час публікацыі: 23 мая 2024 г
