На дадзеным этапе ўзроўню прамысловага прымянення, першае месца спажывецкай электронікі прылады адаптар тавараў. А паводле асноўнага выкарыстання МОП-транзістараў, попыт на МОП-транзістар займае другое месца ў матчыных поплатках камп'ютэра, NB, камп'ютэрным прафесійным адаптары харчавання, ВК-дысплеі і іншых таварах. Разам з тэндэнцыяй развіцця асноўных нацыянальных умоў, камп'ютэрныя матчыны платы, кампутарныя прафесійныя адаптары сілкавання, ВК-маніторы ў адпаведнасці з патрабаванняміМАП-транзістары павінны выйсці за рамкі сітуацыі адаптараў бытавой электронікі.
НіжэйMOS несапраўдныя шэсць асноўных прычын.
1. Апоўзень несапраўдны (рабочае напружанне несапраўднае), якое часта называюць уцечкай паміж крыніцай BVdss працоўнае напружанне перавышае намінальны ток MOSFET, і за яе межамі для выканання пэўнай функцыі, якая прыводзіць да несапраўднага MOSFET.
2.SOA несапраўдны (паток магутнасці несапраўдны), як у бяспечнай рабочай зоне MOSFET, выкліканай несапраўднасцю, падзелена на ідэнтыфікатар спецыфікацый прылады і несапраўдны, а яго ідэнтыфікатар занадта вялікі, высокі знос прылады, доўгатэрміновае цеплавое назапашванне, выкліканае несапраўднасцю.
3. Несапраўдны корпусны дыёд. У мосце, LLC і іншых эфектыўных для цела дыёд для правядзення працягу тапалогіі сеткі, таму што цела дыёд ўплывае на несапраўднасць.
4. Няправільны паслядоўны рэзананс. У паслядоўным ужыванні звяна паразітныя параметры варот і ланцуга харчавання прыводзяць да ваганняў, выкліканых несапраўднасцю.
5. Электрастатычная індукцыя несапраўдная. Зімой і восенню, з-за цела і машын і абсталявання з-за электрастатычнай індукцыі, выкліканай прыладай несапраўдным.
6. Няправільнае напружанне засаўкі. Паколькі вароты былі ненармальныя пікі працоўнага напружання, і прывесці да засаўкі пласт кіслароду з'яўляецца несапраўдным.
Час публікацыі: 29 ліпеня 2024 г
