Ёсць два спосабы адрозніць добры MOSFET ад дрэннага:
Першае: якасна адрозніваць перавагі і недахопыМАП-транзістары
Спачатку выкарыстоўвайце блок мультиметра R × 10 кОм (убудаваная акумулятарная батарэя 9 В або 15 В), мінусавую ручку (чорную), падлучаную да засаўкі (G), плюсавую ручку (чырвонае), падлучаную да крыніцы (S). Да варот, крыніца сярэдняга зарада батарэі, томультиметр іголка мае лёгкі прагін. Затым перайдзіце на блок мультиметра R × 1Ω,негатыў пяро да сцёку (D), станоўчае пяро да крыніцы (S), мультиметр, пазначанае значэннем, калі некалькі Ом маці, гэта паказвае, што MOSFET добры.
Другі: якаснае вырашэнне электрычнага ўзроўню пераходных MOSFETМультыметр будзе набраны ў файл R × 100, чырвоная ручка выпадкова падключана да трубкі для ног, чорная ручка падлучана да іншай трубкі для ног, так што трэцяя нага вісіць у паветры. Калі вы выявіце, што іголка злёгку хістаецца, гэта пацвярджае, што трэцяя ступня для варот. Каб атрымаць больш значнае назіранне за фактычным эфектам, а таксама электронную вібрацыю паблізу або з дотыкам пальца да вісяць у паветры ножак, толькі каб убачыць іголку для вялікага адхілення, гэта значыць, паказваючы, што вісяць у паветры ступні з'яўляюцца варотамі , астатнія два футы былі крыніцай і сцёкам.
Адметныя прычыны:
Уваходнае супраціўленне JFET больш за 100 МОм, а каэфіцыент праводнасці вельмі высокі, калі магнітным полем унутранага памяшкання засаўкі вельмі лёгка выклікаць магнітную індукцыю працоўнага сігналу напружання на засаўцы, так што труба мае тэндэнцыю да або імкнецца быць уключаным-выключаным. Калі індукцыйнае напружанне цела неадкладна дадаць да варот, таму што ключавое электрамагнітнае ўмяшанне моцнае, вышэйзгаданая сітуацыя будзе ўсё больш і больш значнай. Калі стрэлка лічыльніка злева ад вялікага прагіну, ад імя трубы мае тэндэнцыю да стану, пашырэнне рэзістара сток-крыніца RDS, колькасць току сток-крыніца памяншаецца IDS. наадварот, стрэлка метра справа ад вялікага прагіну, які паказвае, што труба імкнецца да ўключэння-выключэння, RDS ↓, IDS ↑. Тым не менш, метр іголкі ў канцы, у якім кірунку адхіленні, павінна залежаць ад станоўчага і адмоўнага полюсаў індукаванага напружання (станоўчы кірунак працоўнага напружання або адваротны кірунак працоўнага напружання) і рабочай кропкі сталёвай трубы.
Засцярогі:
(1) Эксперымент паказвае, што калі абедзве рукі ізаляваны ад палюсоў D і S і дакранаюцца толькі да варот, іголка звычайна адхіляецца ўлева. Аднак, калі абедзве рукі дакрануцца да кожнага з полюсаў D, S і пальцамі дакрануцца да варот, можна назіраць адхіленне стрэлкі направа. Асноўнай прычынай з'яўляецца цела шэрагу пазіцый і рэзістараў на MOSFET мае апорную кропку эфект, так што ён у зону стану насычэння.
Час публікацыі: 22 ліпеня 2024 г
