MOSFET Detection Flow МАП-транзістары, як адны з самых простых прылад у галіне паўправаднікоў, шырока выкарыстоўваюцца ў розных канструкцыях прадуктаў і схемах на ўзроўні платы. Асабліва ў галіне магутных паўправаднікоў MOSFET розных структур гуляюць незаменную ролю. Вядома, высокі ўзровень выкарыстанняМАП-транзістары прывяло да невялікіх праблем. Адна з праблем уцечкі MOSFET, розныя месцы маюць розныя рашэнні, таму мы арганізавалі для вашай даведкі некалькі эфектыўных метадаў ліквідацыі непаладак.
Для дэтэктара МАП-транзістара вы можаце ўбачыць наступныя аспекты:MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Als er een weerstandswaarde, maar niet gedetecteerd, MOSFET lekkage voorwaarden, die het belangrijkste onderzoek kunnen we verwijzen naar het volgende process uit te voeren:
1, de link gate en de bron van de weerstand verwijderd, de multimeter rode en zwarte pennen zal niet veranderen, als je beweegt de lekkage weerstand na de meter bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand of oneindig, dan is deMOSFET леккаге; zal niet veranderen is er geen probleem;
2, zal een transmissielijn naar de MOSFET gate en bron polen met elkaar verbonden, als de digitale multimeter naald onmiddellijk terug naar oneindig, dan is de MOSFET is geen probleem;
3, de rode pen naar de bron van de MOSFET S, de zwarte pen naar de afvoer van de MOSFET, een goede meter stick marking moet geen grote armen;
4, met een weerstand van 100KΩ-200KΩ verbonden met de gate en drain, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte pen aan de drain van de MOSFET, op dit moment de waarde van de meterpaal marking is over het algemeen zal 0 zijn, op het moment is onder de positieve elektriciteit op basis van deze weerstand aan de MOSFET gate batterij opladen, wat resulteert in de gate elektrisch veld, als gevolg van elektrisch veld Resulterend in geleidingsvermogen sectie veroorzaakt door de drain en bron pool pass, zodat de digitale multimeter meter pool bias, bias hoe groter de gezichtshoek, hoe hoger het laden en ontladen kenmerken.
Час публікацыі: 25 мая 2024 г
