N-канальны MOSFET, N-канальны палявы транзістар метал-аксід-паўправаднік, з'яўляецца важным тыпам MOSFET. Далей прыводзіцца падрабязнае тлумачэнне N-канальных MOSFET:
I. Асноўная структура і склад
N-канальны MOSFET складаецца з наступных асноўных кампанентаў:
Брама:тэрмінал кіравання, змяняючы напружанне засаўкі для кіравання токаправодным каналам паміж крыніцай і сцёкам.· ·
Крыніца:Адток току, звычайна звязаны з адмоўным бокам ланцуга.· ·
Сліў: прыток току, звычайна звязаны з нагрузкай ланцуга.
Субстрат:Звычайна гэта паўправадніковы матэрыял P-тыпу, які выкарыстоўваецца ў якасці падкладкі для MOSFET.
Ізалятар:Размешчаны паміж засаўкай і каналам, ён звычайна зроблены з дыяксіду крэмнія (SiO2) і дзейнічае як ізалятар.
II. Прынцып дзеяння
Прынцып працы N-канальнага MOSFET заснаваны на эфекце электрычнага поля, які адбываецца наступным чынам:
Статус адключэння:Калі напружанне засаўкі (Vgs) ніжэйшае за парогавае напружанне (Vt), у падкладцы P-тыпу пад засаўкай не ўтворыцца які праводзіць канал N-тыпу, і таму паміж крыніцай і сцёкам існуе стан адключэння і ток не можа цячы.
Стан праводнасці:Калі напружанне засаўкі (Vgs) вышэй парогавага напружання (Vt), дзіркі ў падкладцы P-тыпу пад засаўкай адштурхваюцца, утвараючы знясілены пласт. Пры далейшым павелічэнні напружання на засаўцы электроны прыцягваюцца да паверхні падкладкі P-тыпу, утвараючы праводзіць канал N-тыпу. У гэты момант утвараецца шлях паміж крыніцай і сцёкам, і ток можа цячы.
III. Віды і характарыстыкі
N-канальныя MOSFET можна класіфікаваць на розныя тыпы ў адпаведнасці з іх характарыстыкамі, напрыклад, у рэжыме паляпшэння і рэжыме знясілення. Сярод іх МАП-транзістары ў рэжыме паляпшэння знаходзяцца ў стане адключэння, калі напружанне на засаўцы роўна нулю, і ім неабходна прыкласці станоўчае напружанне на засаўцы, каб праводзіць; у той час як MOSFET з рэжымам знясілення ўжо знаходзяцца ў токаправодным стане, калі напружанне на засаўцы роўна нулю.
N-канальныя МАП-транзістары маюць мноства выдатных характарыстык, такіх як:
Высокі ўваходны супраціў:Затвор і канал MOSFET ізаляваны ізаляцыйным пластом, што прыводзіць да надзвычай высокага ўваходнага супраціўлення.
Нізкі ўзровень шуму:Паколькі праца MOSFET не прадугледжвае ўвядзення і злучэння нязначных носьбітаў, шум нізкі.
Нізкае энергаспажыванне: MOSFET мае нізкае энергаспажыванне як ва ўключаным, так і ў выключаным стане.
Высакахуткасныя характарыстыкі пераключэння:МАП-транзістары маюць надзвычай высокую хуткасць пераключэння і падыходзяць для высокачашчынных і высакахуткасных лічбавых схем.
IV. Вобласці прымянення
N-канальныя MOSFET шырока выкарыстоўваюцца ў розных электронных прыладах дзякуючы сваёй выдатнай прадукцыйнасці, напрыклад:
Лічбавыя схемы:З'яўляючыся базавым элементам лагічных схем, ён рэалізуе апрацоўку і кіраванне лічбавымі сігналамі.
Аналагавыя схемы:Выкарыстоўваецца як ключавы кампанент у аналагавых схемах, такіх як узмацняльнікі і фільтры.
Сілавая электроніка:Выкарыстоўваецца для кіравання сілавымі электроннымі прыладамі, такімі як імпульсныя крыніцы сілкавання і рухавікі.
Іншыя вобласці:Такія, як святлодыёднае асвятленне, аўтамабільная электроніка, бесправадная сувязь і іншыя сферы таксама шырока выкарыстоўваюцца.
Такім чынам, N-канальны MOSFET, як важная паўправадніковая прылада, адыгрывае незаменную ролю ў сучасных электронных тэхналогіях.
Час публікацыі: 13 верасня 2024 г
