Дэталі паслядоўнасці распіноўкі корпуса SMD MOSFET, якія звычайна выкарыстоўваюцца

Якая роля MOSFET?

MOSFET гуляюць ролю ў рэгуляванні напружання ўсёй сістэмы электразабеспячэння. У цяперашні час на плаце выкарыстоўваецца не так шмат MOSFET, звычайна каля 10. Асноўная прычына ў тым, што большасць MOSFET інтэграваныя ў мікрасхему. Паколькі асноўная роля MOSFET - забяспечваць стабільнае напружанне для аксесуараў, таму ён звычайна выкарыстоўваецца ў працэсары, графічным працэсары і сокеце і г.д.МАП-транзістарыяк правіла, уверсе і ўнізе на дошцы з'яўляюцца групы з двух чалавек.

Пакет MOSFET

Чып MOSFET у вытворчасці завершаны, вам трэба дадаць абалонку да чыпа MOSFET, гэта значыць пакет MOSFET. MOSFET чып абалонка мае падтрымку, абарону, астуджальны эфект, але і для чыпа, каб забяспечыць электрычнае злучэнне і ізаляцыю, так што MOSFET прылада і іншыя кампаненты для фарміравання поўнай схемы.

У адпаведнасці з устаноўкай у PCB спосаб адрозніць,MOSFETпакет мае дзве асноўныя катэгорыі: праз адтуліну і павярхоўны мантаж. устаўлены штыфт MOSFET праз адтуліны для мацавання друкаванай платы, прывараныя на друкаванай плаце. Павярхоўны мантаж - гэта штыфт MOSFET і фланец радыятара, прывараны да паверхневых пляцовак друкаванай платы.

 

 

 

Спецыфікацыі стандартнага пакета TO Package

TO (Transistor Out-line) - гэта ранняя спецыфікацыя пакета, напрыклад TO-92, TO-92L, TO-220, TO-252 і г.д. У апошнія гады попыт на рынку павярхоўнага мантажу павялічыўся, і пакеты TO перайшлі да пакетаў для павярхоўнага мантажу.

TO-252 і TO263 - пакеты для павярхоўнага мантажу. TO-252 таксама вядомы як D-PAK, а TO-263 таксама вядомы як D2PAK.

Пакет D-PAK MOSFET мае тры электроды, затвор (G), сток (D), выток (S). Адзін з дрэнажных штыфтоў (D) выразаны без выкарыстання задняй часткі радыятара для дрэнажу (D), непасрэдна прывараны да друкаванай платы, з аднаго боку, для вываду моцнага току, з аднаго боку, праз Цеплаадвод друкаванай платы. Такім чынам, ёсць тры пляцоўкі PCB D-PAK, дренажная пляцоўка (D) большага памеру.

Пакет TO-252 кантактная схема

Пакет мікрасхем, папулярны або двухрадковы пакет, які называецца DIP (Dual ln-line Package). У той час DIP-пакет меў прыдатную перфараваную ўстаноўку на друкаванай плаце (друкаваная плата) з больш простым падключэннем і эксплуатацыяй друкаванай платы, чым пакет TO. з'яўляецца больш зручным і гэтак далей некаторыя характарыстыкі структуры яго ўпакоўкі ў выглядзе шэрагу формаў, у тым ліку шматслаёвай керамічнай двухрадковай DIP, аднаслаёвай керамічнай двухрадковай

DIP, свінцовая рамка DIP і гэтак далей. Звычайна выкарыстоўваецца ў сілавых транзістарах, мікрасхемах рэгулятара напружання.

 

ЧыпMOSFETПакет

Пакет SOT

SOT (Small Out-Line Transistor) - транзістар з невялікім контурам. Гэты пакет уяўляе сабой корпус малога магутнага транзістара SMD, меншага памеру, чым пакет TO, які звычайна выкарыстоўваецца для MOSFET малой магутнасці.

Пакет SOP

SOP (Small Out-Line Package) на кітайскай мове азначае «маленькі контурны пакет», SOP — адзін з пакетаў для павярхоўнага мантажу, штыфты з двух бакоў пакета ў форме крыла чайкі (Г-вобразная форма), матэрыял бывае пластык і кераміка. SOP таксама называюць SOL і DFP. Стандарты ўпакоўкі SOP ўключаюць SOP-8, SOP-16, SOP-20, SOP-28 і г. д. Лічба пасля SOP паказвае колькасць штыфтоў.

Пакет SOP MOSFET у асноўным прымае спецыфікацыю SOP-8, прамысловасць, як правіла, апускае літару "P", якая называецца SO (Small Out-Line).

Пакет SMD MOSFET

Пластыкавы пакет SO-8, няма цеплавой апорнай пласціны, дрэннае рассейванне цяпла, звычайна выкарыстоўваецца для маламагутных MOSFET.

SO-8 быў спачатку распрацаваны PHILIP, а затым паступова выведзены з TSOP (тонкая ўпакоўка з невялікімі контурамі), VSOP (упакоўка з вельмі маленькімі контурамі), SSOP (паменшаныя SOP), TSSOP (тонкія паменшаныя SOP) і іншыя стандартныя спецыфікацыі.

Сярод гэтых вытворных спецыфікацый пакетаў TSOP і TSSOP звычайна выкарыстоўваюцца для пакетаў MOSFET.

Капак MOSFET для мікрасхем

QFN (Quad Flat Non-этыляваны пакет) - гэта адзін з пакетаў для павярхоўнага мантажу, кітайцы называюць чатырохбаковы неэтыляваны плоскі пакет, памер пляцоўкі невялікі, маленькі, пластыкавы ў якасці ўшчыльняльнага матэрыялу новага чыпа для павярхоўнага мантажу. тэхналогія ўпакоўкі, цяпер больш вядомая як LCC. Цяпер ён называецца LCC, а QFN - гэта назва, прадугледжаная Японскай асацыяцыяй электратэхнічнай і механічнай прамысловасці. Пакет настроены з кантактамі электродаў з усіх бакоў.

Пакет сканфігураваны з кантактамі электродаў з усіх чатырох бакоў, і паколькі няма вывадаў, плошча мантажу меншая, чым у QFP, а вышыня меншая, чым у QFP. Гэты пакет таксама вядомы як LCC, PCLC, P-LCC і г.д.