Пры праектаванні імпульснага крыніцы харчавання або схемы прывада рухавіка з aMOSFET, большасць людзей будзе разглядаць супраціўленне адкрыцця МАП-транзістара, максімальнае напружанне і максімальны ток, але гэта ўсё, што яны будуць разглядаць. Такая схема можа працаваць, але яна не з'яўляецца якаснай схемай і не дазваляецца распрацоўваць як афіцыйны прадукт.
Найбольш істотная асаблівасць стMOSFETз'яўляецца пераключэннем, таму яго можна шырока выкарыстоўваць у розных схемах, якія патрабуюць электроннага пераключэння, такіх як імпульсныя крыніцы харчавання і схемы прывада рухавікоў. У наш час сітуацыя са схемай прымянення MOSFET:
1, прыкладання нізкага напружання
Пры выкарыстанні крыніцы харчавання 5 В, калі выкарыстоўваецца традыцыйная структура татэмнага слупа, з-за падзення напружання на транзістары будзе толькі каля 0,7 В, фактычнае напружанне, загружанае на затвор, у гэты час складае толькі 4,3 В, калі мы выбіраем MOSFET з напругай 4,5 В, уся схема будзе мець пэўны рызыка. Такая ж праблема паўстане пры выкарыстанні 3В або іншага нізкавольтнага крыніцы харчавання.
2, шырокае прымяненне напругі
У паўсядзённым жыцці напружанне, якое мы ўводзім, не з'яўляецца фіксаваным значэннем, яно будзе залежаць ад часу або іншых фактараў. Гэты эфект прывядзе да таго, што ланцуг ШІМ будзе забяспечваць вельмі няўстойлівае напружанне ўзбуджальніка для MOSFET. Такім чынам, каб дазволіць МОП-транзістарам бяспечна працаваць пры высокіх напружаннях на засаўцы, шматMOSFETу наш час ёсць убудаваныя рэгулятары напружання, якія абмяжоўваюць напружанне засаўкі. У гэты момант, калі напружанне прывада перавышае напружанне рэгулятара, узнікае значная колькасць статычнага спажывання энергіі. У той жа час, калі напружанне на засаўцы проста паменшыць з дапамогай прынцыпу дзельніка напружання на рэзістары, уваходнае напружанне будзе адносна высокім, і MOSFET будзе працаваць добра. Пры зніжэнні ўваходнага напружання напружанне на засаўцы недастатковае, што прыводзіць да няпоўнай праводнасці і павялічанага спажывання энергіі.
Час публікацыі: 4 ліпеня 2024 г
