Ёсць шмат варыянтаў сімвалаў схем, якія звычайна выкарыстоўваюцца для MOSFET. Найбольш распаўсюджаная канструкцыя - гэта прамая лінія, якая прадстаўляе канал, дзве лініі, перпендыкулярныя каналу, якія прадстаўляюць крыніцу і сцёк, і больш кароткая лінія, паралельная каналу злева, якая ўяўляе вароты. Часам прамая лінія, якая прадстаўляе канал, таксама замяняецца на ломаную, каб адрозніць рэжым паляпшэнняMOSFET або рэжым знясілення MOSFET, які таксама дзеліцца на N-канальны MOSFET і P-канальны MOSFET два тыпу сімвалаў схемы, як паказана на малюнку (кірунак стрэлкі адрозніваецца).
Магутныя MOSFET працуюць двума асноўнымі спосабамі:
(1) Калі станоўчае напружанне дадаецца да D і S (сцёк дадатны, крыніца адмоўны) і UGS=0, PN-пераход у вобласці корпуса P і вобласці сцёку N мае адваротнае зрушэнне, і ток не праходзіць паміж D і S. Калі дадатнае напружанне UGS дадаецца паміж G і S, ток засаўкі не будзе цячы, таму што засаўка ізаляваная, але станоўчае напружанне на засаўцы адштурхне дзіркі ад вобласці P знізу, і электроны нязначных носьбітаў будуць быць прыцягнуты да паверхні вобласці Р. Калі UGS больш за пэўнае напружанне UT, канцэнтрацыя электронаў на паверхні вобласці Р пад засаўкай будзе перавышаць канцэнтрацыю дзірак, такім чынам, робячы пласт антышаблона паўправадніка Р-тыпу паўправадніком N-тыпу ; гэты пласт антышаблона ўтварае канал N-тыпу паміж вытокам і сцёкам, так што PN-пераход знікае, выток і сцёк праводзяць, і праз сцёк цячэ ток сцёку. UT называецца напругай уключэння або парогавым напружаннем, і чым больш UGS перавышае UT, тым больш праводная здольнасць і тым больш ID. Чым больш UGS перавышае UT, тым мацней праводнасць, тым больш ID.
(2) Калі D, S плюс адмоўнае напружанне (крыніца дадатнае, сцёк адмоўнае), PN-пераход мае прамое зрушэнне, што эквівалентна ўнутранаму зваротнаму дыёду (не мае характарыстык хуткай рэакцыі), гэта значыць,MOSFET не мае магчымасці зваротнай блакіроўкі, можа разглядацца як кампаненты зваротнай праводнасці.
ПаMOSFET прынцып працы можна ўбачыць, яго праводнасць толькі адной палярнасці носьбітаў, якія ўдзельнічаюць у праводзяць, таму таксама вядомы як уніпалярны транзістар. MOSFET прывад часта заснаваны на блоку харчавання IC і параметрах MOSFET для выбару адпаведнай схемы, MOSFET звычайна выкарыстоўваецца для пераключэння схема прывада блока харчавання. Пры распрацоўцы імпульснага крыніцы сілкавання з выкарыстаннем MOSFET большасць людзей улічвае супраціўленне ўключанага рэжыму, максімальнае напружанне і максімальны ток MOSFET. Аднак людзі вельмі часта ўлічваюць толькі гэтыя фактары, каб схема магла працаваць належным чынам, але гэта не з'яўляецца добрым праектным рашэннем. Для больш дэталёвай канструкцыі MOSFET таксама павінен улічваць уласную інфармацыю аб параметрах. Для пэўнага MOSFET, яго ланцуг кіравання, пікавы ток на выхадзе прывада і г.д., будуць уплываць на характарыстыкі пераключэння MOSFET.
Час размяшчэння: 17 мая 2024 г
