• Facebook
  • Linkedin
  • твітэр
  • youtube
  • instagram
Email:business@olukey.com
English
Асноўныя параметры MOSFET і параўнанне з трыёдамі

Асноўныя параметры MOSFET і параўнанне з трыёдамі

Час публікацыі: 16 мая 2024 г

Палявы транзістар скарочанаMOSFET.Існуюць два асноўныя тыпы: трубкі на спалучэнні поля і металаксідныя паўправадніковыя трубкі з эфектам поля. MOSFET таксама вядомы як уніпалярны транзістар з большасцю носьбітаў, якія ўдзельнічаюць у праводнасці. Яны ўяўляюць сабой паўправадніковыя прылады з кіраваннем напругай. Дзякуючы высокаму ўваходнаму супраціву, нізкаму ўзроўню шуму, нізкаму энергаспажыванню і іншым характарыстыкам, ён з'яўляецца моцным канкурэнтам біпалярным транзістарам і сілавым транзістарам.

WINSOK TO-3P-3L MOSFET

I. Асноўныя параметры MOSFET

1, параметры пастаяннага току

Ток сцёку насычэння можна вызначыць як ток сцёку, які адпавядае таму, што напружанне паміж затворам і крыніцай роўна нулю, а напружанне паміж сцёкам і крыніцай большае за напружанне адціскання.

Напружанне адціскання UP: UGS патрабуецца для памяншэння ID да невялікага току, калі UDS пэўны;

Напружанне ўключэння UT: UGS патрабуецца для прывядзення ID да пэўнага значэння, калі UDS вызначаны.

2、Параметры пераменнага току

Нізкачашчынная праводнасць gm : апісвае кантрольны эфект напружання засаўкі і крыніцы на ток сцёку.

Міжполюсная ёмістасць: ёмістасць паміж трыма электродамі MOSFET, чым меншае значэнне, тым лепшая прадукцыйнасць.

3、Ліміт параметраў

Напружанне прабоя сцёку, крыніцы: калі ток сцёку рэзка ўзрастае, гэта прывядзе да лавінападобнага прабоя пры UDS.

Напружанне прабоя засаўкі: нармальная праца трубкі з эфектам палявога пераходу, засаўка і крыніца паміж PN-пераходам у стане зваротнага зрушэння, ток занадта вялікі, каб выклікаць прабой.

WINSOK TO-263-2L MOSFET

II. ХарактарыстыкаМАП-транзістары

MOSFET мае функцыю ўзмацнення і можа ўтвараць узмацняльны контур. У параўнанні з трыёдам ён мае наступныя характарыстыкі.

(1) MOSFET з'яўляецца прыладай з кіраваннем напругай, а патэнцыял кантралюецца UGS;

(2) Ток на ўваходзе MOSFET вельмі малы, таму яго ўваходнае супраціўленне вельмі высокае;

(3) Яго тэмпературная стабільнасць добрая, таму што ён выкарыстоўвае асноўныя носьбіты для праводнасці;

(4) Каэфіцыент узмацнення напружання яго схемы ўзмацнення меншы, чым у трыёда;

(5) Ён больш устойлівы да радыяцыі.

па-трэцяе,MOSFET і параўнанне транзістараў

(1) MOSFET крыніца, засаўка, сцёк і трыёд крыніца, база, усталяванне полюса адпавядае ролі аналагічнага.

(2) MOSFET з'яўляецца прыладай току з кіраваннем напругай, каэфіцыент узмацнення малы, здольнасць узмацнення дрэнная; трыёд - гэта прылада з кіраваным токам напружання, здольнасць да ўзмацнення моцная.

(3) MOSFET затвор у асноўным не прымае ток; і працы трыёда, база будзе паглынаць пэўны ток. Такім чынам, уваходнае супраціўленне затвора MOSFET вышэй, чым уваходнае супраціўленне трыёда.

WINSOK DFN2X5-6L MOSFET

(4) У кандуктыўным працэсе MOSFET удзельнічае палітрон, а ў трыёдзе - два віды носьбітаў, палітрон і алігатрон, і на канцэнтрацыю алігатрона ў ім моцна ўплываюць тэмпература, радыяцыя і іншыя фактары, такім чынам, MOSFET мае лепшую тэмпературную стабільнасць і радыяцыйную ўстойлівасць, чым транзістар. MOSFET варта выбіраць, калі ўмовы навакольнага асяроддзя моцна мяняюцца.

(5) Калі МАП-транзістар падлучаны да металу крыніцы і падкладкі, крыніца і сцёк могуць быць заменены месцамі, і характарыстыкі не моцна зменяцца, у той час як калі калектар і эмітэр транзістара заменены, характарыстыкі адрозніваюцца і значэнне β зніжаецца.

(6) Каэфіцыент шуму MOSFET невялікі.

(7) МАП-транзістар і трыёд могуць складацца з розных схем узмацняльніка і схем пераключэння, але першы спажывае менш энергіі, мае высокую тэрмічную стабільнасць і шырокі дыяпазон напружання харчавання, таму ён шырока выкарыстоўваецца ў буйнамаштабных і звышвялікіх інтэгральныя схемы маштабу.

(8) Супраціў уключэння трыёда вялікае, а супраціўленне ўключэння MOSFET невялікае, таму MOSFET звычайна выкарыстоўваюцца ў якасці перамыкачоў з больш высокай эфектыўнасцю.

РоднасныяЗмест

Націсніце Enter для пошуку або ESC для закрыцця