Ідэі для вырашэння сур'ёзнага выпрацоўкі цяпла MOSFET

Я не ведаю, ці знайшлі вы праблему, MOSFET дзейнічае як абсталяванне імпульснага крыніцы сілкавання падчас працы часам моцна награваецца, хачу вырашыць праблему ацяпленняMOSFET, спачатку нам трэба вызначыць прычыны, таму нам трэба праверыць, каб высветліць, у чым праблема. Праз адкрыццё стMOS ацяпленне праблема, перайдзіце да выбару правільнага ключавога тэсту, не адпавядае аналізу, які з'яўляецца ключом да вырашэння праблемы.

У цесцю блока харчавання, у дадатак да вымярэння ланцуга кіравання іншых прылад кантактнага напружання, як цяжкі, а затым асцылограф для вымярэння адпаведнай формы сігналу напружання. Калі мы ідзем, каб вызначыць, ці не працуе імпульсны блок харчавання належным чынам, дзе вымераць блок харчавання можа адлюстроўваць працоўны стан ненармальны, выхад ШІМ-кантролера не нармальны, працоўны цыкл і амплітуда імпульсу не нармальныя, пераключэнне MOSFET з'яўляецца не працуе належным чынам, у тым ліку другаснай і першаснай абмоткі трансфарматара і выхад зваротнай сувязі неразумны.

Вельмі важна, ці з'яўляецца тэставая кропка разумным выбарам, правільны выбар можа быць бяспечным і надзейным вымярэннем, але таксама дазваляе нам хутка ліквідаваць непаладку, каб высветліць прычыну.

Звычайна прычынай нагрэву MOSFET з'яўляецца:

1: G-полюс прываднага напружання недастаткова.

2: Ідэнтыфікацыйны ток праз сцёк і крыніцу занадта вялікі.

3: частата руху занадта высокая.

Такім чынам, у цэнтры ўвагі тэсту ў MOSFET, дакладна праверыць яго працу, якая з'яўляецца коранем праблемы.

Варта адзначыць, што калі нам трэба выкарыстоўваць тэст асцылографа, мы павінны звярнуць асаблівую ўвагу на паступовае павышэнне ўваходнага напружання, калі мы выявім, што пікавае напружанне або ток перавышае наш праектны дыяпазон, на гэты раз мы павінны звярнуць увагу на нагрэву MOSFET, калі ёсць анамалія, вы павінны неадкладна адключыць сілкаванне, выяўляючы, дзе ляжыць праблема, каб прадухіліць MOSFET ад пашкоджання.