Як вызначыць nMOSFET і pMOSFET

I. Па напрамку цячэння току

NMOSFET:Калі ток цячэ ад крыніцы (S) да сцёку (D), MOSFET з'яўляецца NMOSFET У NMOSFET крыніца і сцёк з'яўляюцца паўправаднікамі n-тыпу, а засаўка - гэта паўправаднік p-тыпу. Калі напружанне на засаўцы станоўчае адносна крыніцы, на паверхні паўправадніка ўтвараецца правадны канал n-тыпу, які дазваляе электронам цячы ад крыніцы да сцёку.

PMOSFET:MOSFET - гэта PMOSFET, калі ток цячэ ад сцёку (D) да крыніцы (S). У PMOSFET і крыніца, і сток з'яўляюцца паўправаднікамі p-тыпу, а засаўка - паўправадніком n-тыпу. Калі напружанне на засаўцы адмоўнае адносна крыніцы, на паверхні паўправадніка ўтворыцца канал р-тыпу, які дазваляе адтулінам цячы ад крыніцы да сцёку (звярніце ўвагу, што ў звычайным апісанні мы ўсё яшчэ гаворым, што ток ідзе ад D да S, але на самой справе гэта кірунак, у якім рухаюцца дзіркі).

*** Пераклад з www.DeepL.com/Translator (бясплатная версія) ***

II. У адпаведнасці з напрамкам паразітнага дыёда

NMOSFET:Калі паразітны дыёд накіраваны ад крыніцы (S) да сцёку (D), гэта NMOSFET. паразітны дыёд - гэта ўнутраная структура ўнутры MOSFET, і яго кірунак можа дапамагчы нам вызначыць тып MOSFET.

PMOSFET:Паразітны дыёд з'яўляецца PMOSFET, калі ён накіраваны ад сцёку (D) да крыніцы (S).

III. У адпаведнасці з адносінамі паміж напругай кантрольнага электрода і электраправоднасцю

NMOSFET:NMOSFET праводзіць, калі напружанне засаўкі станоўчае адносна напружання крыніцы. Гэта адбываецца таму, што станоўчае напружанне на засаўцы стварае праводныя каналы n-тыпу на паверхні паўправадніка, дазваляючы электронам цячы.

PMOSFET:PMOSFET праводзіць, калі напружанне засаўкі адмоўнае адносна напружання крыніцы. Адмоўнае напружанне на засаўцы стварае правадзячы канал p-тыпу на паверхні паўправадніка, дазваляючы цячы дзіркам (або току цячы ад D да S).

IV. Іншыя дапаможныя спосабы меркавання

Паглядзець маркіроўку прылады:На некаторых MOSFET можа быць маркіроўка або нумар мадэлі, якія ідэнтыфікуюць яго тып, і, прагледзеўшы адпаведную табліцу дадзеных, вы можаце пацвердзіць, што гэта NMOSFET або PMOSFET.

Выкарыстанне тэставых інструментаў:Вымярэнне супраціву штыфта MOSFET або яго праводнасці пры розных напружаннях з дапамогай тэставых прыбораў, такіх як мультиметры, таксама можа дапамагчы ў вызначэнні яго тыпу.

Падводзячы вынік, меркаванне аб транзісторах NMOSFET і PMOSFET можа праводзіцца галоўным чынам па напрамку патоку току, напрамку паразітнага дыёда, залежнасці паміж напругай і праводнасцю кіруючага электрода, а таксама па праверцы маркіроўкі прылады і выкарыстанні тэставых прыбораў. У практычных прымяненнях адпаведны метад меркавання можна выбраць у залежнасці ад канкрэтнай сітуацыі.