Як працуюць MOSFET?

1, MOSFETувядзенне

Абрэвіятура палявога транзістара (FET)) Назва MOSFET. праз невялікую колькасць носьбітаў для ўдзелу ў цеплаправоднасці, таксама вядомы як шматполюсны транзістар. Ён адносіцца да механізму паўзвышправадніковага тыпу напружання. Выхадны супраціў высокі (10^8 ~ 10^9Ω), нізкі ўзровень шуму, нізкае энергаспажыванне, статычны дыяпазон, лёгка інтэгравацца, адсутнасць другога з'явы прабоя, страхавая задача шырокага мора і іншыя перавагі, цяпер зменены біпалярны транзістар і транзістар пераходу магутнасці моцных супрацоўнікаў.

2, MOSFET характарыстыкі

1, MOSFET з'яўляецца прыладай кантролю напругі, ён праз VGS (напружанне крыніцы засаўкі) кіравання ID (сцёк пастаяннага току);

2, MOSFETвыхадны полюс пастаяннага току малы, таму выхадны супраціў вялікі.

3, гэта прымяненне невялікай колькасці носьбітаў для правядзення цяпла, таму ён мае лепшую меру стабільнасці;

4, ён складаецца з шляху скарачэння электрычнага каэфіцыента зніжэння менш, чым трыёд складаецца з скарачэння шляху каэфіцыента зніжэння;

5, MOSFET здольнасць супраць апраменьвання;

6, з-за адсутнасці няспраўнай актыўнасці дысперсіі алігона, выкліканай рассеянымі часціцамі шуму, таму шум нізкі.

3. Прынцып задачы MOSFET

MOSFETпрынцып працы ў адным сказе: "сцёк - крыніца паміж ідэнтыфікатарам, які праходзіць праз канал для засаўкі, і каналам паміж pn-пераходам, утвораным адваротным зрушэннем напружання засаўкі, галоўны ідэнтыфікатар", калі быць дакладным, ідэнтыфікатар цячэ праз шырыню шляху, гэта значыць плошчы папярочнага перасеку канала, з'яўляецца змяненнем зваротнага зрушэння pn-пераходу, што стварае знясілены пласт. Прычына пашыранага кантролю варыяцый. У ненасычаным моры VGS=0, паколькі пашырэнне пераходнага пласта не вельмі вялікае, у адпаведнасці з дадаткам магнітнага поля VDS паміж сцёкам і крыніцай, некаторыя электроны ў моры крыніцы адцягваюцца прэч сцёк, г.зн. існуе актыўнасць DC ID ад сцёку да крыніцы. Умераны пласт, пашыраны ад засаўкі да сцёку, робіць усё цела канала ў форме перакрыцця тыпу, поўны ID. Назавіце гэтую форму шчыпком. Сімвалізуючы пераходны пласт да канала цэлай перашкоды, а не адключэнне пастаяннага току.

Паколькі ў пераходным слоі няма свабоднага руху электронаў і дзірак, ён мае амаль ізаляцыйныя ўласцівасці ў ідэальнай форме, і гэта цяжка для агульнага току. Але тады электрычнае поле паміж сцёкам і крыніцай, па сутнасці, два пераходных пласта кантактуюць са сцёкам і полюсам засаўкі побач з ніжняй часткай, таму што электрычнае поле дрэйфу цягне высакахуткасныя электроны праз пераходны пласт. Інтэнсіўнасць поля дрэйфу амаль пастаянная, ствараючы паўнату сцэны ID.

Схема выкарыстоўвае камбінацыю палепшанага P-канальнага MOSFET і палепшанага N-канальнага MOSFET. Калі ўваход нізкі, P-канальны MOSFET праводзіць, а выхад падключаецца да плюсавай клемы крыніцы харчавання. Калі ўваход высокі, N-канальны MOSFET праводзіць, а выхад падключаецца да зазямлення крыніцы харчавання. У гэтай схеме P-канальны MOSFET і N-канальны MOSFET заўсёды працуюць у супрацьлеглых станах, з іх фазавымі ўваходамі і выхадамі перавернутымі.