Аналіз прычын неэфектыўнасці MOSFET

1, збой напружання часта кажуць пра ўцечку паміж крыніцай BVdss напружанне перавышае намінальнае напружанне MOSFET, і за межамі пэўнай здольнасці прывесці да адмовы MOSFET.

2, бягучы збой, які перавышае бяспечны працоўны дыяпазон MOSFET, і несапраўдны, які падзелены на ідэнтыфікатар, перавышае спецыфікацыі прылады, а збой, выкліканы яго ідэнтыфікатарам, занадта вялікі, высокі знос, што прыводзіць да доўгатэрміновага назапашвання цяпла прылады і няспраўнасці.

3, у мосце, LLC і іншыя эфектыўныя для цела дыёд для выканання бягучай тапалогіі, таму што корпус дыёд быў разбураны і несапраўдны.

4, у працэсе паралельнага прымянення, вароты з ланцугом паразітных параметраў прыводзяць да ваганняў выкліча рэзанансны збой.

5, у сухім асяроддзі, таму што чалавечае цела і абсталяванне і статычную электрычнасць, якая выпрацоўваецца прыладай прывядзе да статыкі неэфектыўным.

6. Напружанне на засаўцы несапраўднае з-за ненармальнага піка працоўнага напружання на засаўцы.

Вышэй заснавана наMOSFETаналіз прычын адмовы, мы праводзім адпаведныя аперацыі апрацоўкі, ёсць і іншыя пытанні, калі ласка, пракансультуйцеся з намі ў Інтэрнэце Кампанія Guanhua Weiye можа даць вам эфектыўныя адказы і якаснае абслугоўванне.
добракампанія крэдытуе выжыванне, прытрымліваючыся мэты "якасць - перш за ўсё, абслугоўванне - перш за ўсё" і шмат высокатэхналагічных прадпрыемстваў у краіне і за мяжой, арыгінальная фабрыка для ўстанаўлення добрых працоўных адносін, з шматгадовым прафесійным вопытам у дыстрыбуцыі, з добрым крэдытам, выдатны сэрвіс, доступ да шырокага кола даверу і падтрымкі.