WST2078 N&P Channel 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

кароткае апісанне:

Нумар мадэлі:WST2078

BVDSS:20В/-20В

RDSON:45 мОм/65 мОм

ID:3,8 A/-4,5 A

канал:Канал N&P

пакет:СОТ-23-6Л

Рэзюмэ прадукту:MOSFET WST2078 мае намінальнае напружанне 20 В і -20 В. Ён можа вытрымліваць ток 3,8 А і -4,5 А і мае значэнні супраціву 45 мОм і 65 мОм. MOSFET мае магчымасці як N&P Channel, так і пастаўляецца ў корпусе SOT-23-6L.

прыкладанні:Электронныя цыгарэты, кантролеры, лічбавыя прадукты, тэхніка і бытавая электроніка.

Адправіць запыт PDF

Дэталь прадукту

Ужыванне

Тэгі прадукту

Агульнае апісанне

WST2078 - лепшы MOSFET для невялікіх выключальнікаў сілкавання і нагрузкі. Ён мае высокую шчыльнасць ячэек, якая забяспечвае выдатны RDSON і зарад засаўкі. Ён адпавядае патрабаванням RoHS і Green Product і быў ухвалены для поўнай функцыянальнай надзейнасці.

Асаблівасці

Перадавая тэхналогія з траншэямі высокай шчыльнасці ячэек, надзвычай нізкім зарадам засаўкі і выдатным зніжэннем эфектаў Cdv/dt. Гэта прылада таксама экалагічна чыстае.

Прыкладанні

Высокачашчынная кропка нагрузкі сінхроннае пераключэнне малой магутнасці ідэальна падыходзіць для выкарыстання ў MB/NB/UMPC/VGA, сеткавых сістэмах сілкавання пастаяннага току, выключальніках нагрузкі, электронных цыгарэтах, кантролерах, лічбавых прадуктах, дробнай бытавой тэхніцы і спажывец электронікі.

адпаведны нумар матэрыялу

AOS AO6604 AO6608, VISHAY Si3585CDV, PANJIT PJS6601.

Важныя параметры

Сімвал	Параметр	Рэйтынг		Адзінкі
Сімвал	Параметр	N-канал	P-канал	Адзінкі
ВДС	Напружанне сток-крыніца	20	-20	V
VGS	Напружанне затвор-выток	±12	±12	V
ID@Tc=25 ℃	Пастаянны ток уцечкі, VGS @ 4.5V1	3.8	-4,5	A
ID@Tc=70 ℃	Пастаянны ток уцечкі, VGS @ 4.5V1	2.8	-2,6	A
IDM	Імпульсны ток сцёку2	20	-13	A
PD@TA=25 ℃	Агульная магутнасць рассейвання3	1.4	1.4	W
ТСТГ	Тэмпературны дыяпазон захоўвання	-55 да 150	-55 да 150	℃
TJ	Дыяпазон працоўных тэмператур злучэння	-55 да 150	-55 да 150	℃

Сімвал	Параметр	Умовы	Мін.	Тып.	Макс.	Адзінка
БВДСС	Напружанне прабоя сток-выток	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Тэмпературны каэфіцыент BVDSS	Спасылка на 25 ℃, ID=1 мА	---	0,024	---	В/℃
RDS (УКЛ.)	Статычнае супраціўленне сцёку-крыніцы2	VGS=4,5В, ID=3A	---	45	55	мОм
		VGS=2,5В, ID=1A	---	60	80
		VGS=1,8В, ID=1A	---	85	120
VGS(й)	Парогавае напружанне засаўкі	VGS=VDS, ID =250uA	0,5	0,7	1	V
△VGS(й)	Тэмпературны каэфіцыент VGS(th).	VGS=VDS, ID =250uA	---	-2,51	---	мВ/℃
IDSS	Ток уцечкі сток-выток	VDS=16В, VGS=0В, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Ток уцечкі сток-выток	VDS=16В, VGS=0В, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Ток уцечкі затвор-выток	VGS=±8В, VDS=0В	---	---	±100	nA
gfs	Прамая праводнасць	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Супраціў варот	VDS=0В, VGS=0В, f=1МГц	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Агульны зарад варот (4,5 В)	VDS=10В, VGS=10В, ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Зарад варот-крыніцы		---	1.5	---
Qgd	Зарад варот-сцёку		---	2.1	---
Td (уключана)	Час затрымкі ўключэння	VDD=10В, VGEN=4,5В, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Час уздыму		---	13	23
Td (выключана)	Час затрымкі выключэння		---	15	28
Tf	Восеньскі час		---	3	5.5
снч	Уваходная ёмістасць	VDS=10В, VGS=0В, f=1МГц	---	450	---	pF
Кос	Выхадная ёмістасць		---	51	---
Крос	Ёмістасць зваротнай перадачы		---	52	---