WSD40200DN56G N-канальны 40V 180A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

прадукты

WSD40200DN56G N-канальны 40V 180A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

кароткае апісанне:

Частка нумар:WSD40200DN56G

BVDSS:40В

ID:180А

RDSON:1,15 мОм 

Канал:N-канал

Пакет:ДФН5Х6-8


Дэталь прадукту

Ужыванне

Тэгі прадукту

Агляд прадукту WINSOK MOSFET

Напружанне WSD40120DN56G MOSFET складае 40 В, ток - 120 А, супраціўленне - 1,4 мОм, канал - N-канальны, пакет - DFN5X6-8.

Вобласці прымянення WINSOK MOSFET

Электронныя цыгарэты MOSFET, бесправадная зарадка MOSFET, дроны MOSFET, медыцынская дапамога MOSFET, аўтамабільныя зарадныя прылады MOSFET, кантролеры MOSFET, лічбавыя прадукты MOSFET, дробная бытавая тэхніка MOSFET, бытавая электроніка MOSFET.

WINSOK MOSFET адпавядае нумарам матэрыялаў іншых брэндаў

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

Параметры MOSFET

Сімвал

Параметр

Рэйтынг

Адзінкі

ВДС

Напружанне сток-крыніца

40

V

VGS

Брама-Суrce Напружанне

±20

V

ID@TC=25

Пастаянны ток сцёку, ВGSпры 10В1

120

A

ID@TC=100

Пастаянны ток сцёку, ВGSпры 10В1

82

A

IDM

Імпульсны ток сцёку2

400

A

EAS

Лавінавая энергія аднаго імпульсу3

400

mJ

IAS

Лавіннае цячэнне

40

A

PD@TC=25

Агульнае рассейванне магутнасці4

125

W

ТСТГ

Тэмпературны дыяпазон захоўвання

-55 да 150

TJ

Дыяпазон працоўных тэмператур злучэння

-55 да 150

 

Сімвал

Параметр

Умовы

Мін.

Тып.

Макс.

адзінка

BVDSS

Напружанне прабоя сток-выток VGS=0В , яD=250 мкА

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSТэмпературны каэфіцыент Спасылка на 25, яD=1 мА

---

0,043

---

V/

RDS (УКЛ.)

Статычнае супраціўленне сток-крыніца2 VGS=10В, яD=20А

---

1.4

1.8

mΩ

RDS (УКЛ.)

Статычнае супраціўленне сток-крыніца2 VGS=4,5В, яD=20А

---

2.0

2.6

мОм

VGS(й)

Парогавае напружанне засаўкі VGS=VDS, яD=250 мкА

1.2

1.6

2.2

V

VGS(й)

VGS(й)Тэмпературны каэфіцыент

---

-6,94

---

мВ/

IDSS

Ток уцечкі сток-выток VDS=32В, ВGS=0В, ТJ=25

---

---

1

uA

VDS=32В, ВGS=0В, ТJ=55

---

---

5

IGSS

Ток уцечкі затвор-выток VGS=±20В, ВDS=0В

---

---

±100

nA

gfs

Прамая праводнасць VDS=5В, яD=20А

---

53

---

S

Rg

Супраціў варот VDS=0В, ВGS=0 В, f=1 МГц

---

1.0

---

Ω

Qg

Агульны зарад засаўкі (10 В) VDS=15В, ВGS=10В, яD=20А

---

45

---

nC

Qgs

Зарад варот-крыніцы

---

12

---

Qgd

Зарад варот-сцёку

---

18.5

---

Td (уключана)

Час затрымкі ўключэння VDD=15В, ВГЕН=10В, РG=3,3Ω, яD=20A, RL=15Ω.

---

18.5

---

ns

Tr

Час уздыму

---

9

---

Td (выключана)

Час затрымкі выключэння

---

58.5

---

Tf

Восеньскі час

---

32

---

Cвып

Уваходная ёмістасць VDS=20В, ВGS=0 В, f=1 МГц --- 3972 ---

pF

Кос

Выхадная ёмістасць

---

1119 ---

CRSS

Ёмістасць зваротнай перадачы

---

82

---

  • Папярэдняя:
  • далей:

  • Напішыце тут сваё паведамленне і адпраўце яго нам