WSD30140DN56 N-канальны 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

кароткае апісанне:

Нумар мадэлі:WSD30140DN56

BVDSS:30В

RDSON:1,7 мОм

ID:85А

канал:N-канал

пакет:ДФН5*6-8

Рэзюмэ прадукту:Напружанне WSD30140DN56 MOSFET складае 30 В, ток 85 А, супраціўленне 1,7 мОм, канал N-канальны, пакет DFN5*6-8.

прыкладанні:Электронныя цыгарэты, бесправадныя зарадныя прылады, беспілотнікі, медыцынскае абслугоўванне, аўтамабільныя зарадныя прылады, кантролеры, лічбавыя прадукты, дробная бытавая тэхніка, бытавая электроніка і г.д.

Дашліце нам ліст PDF

Дэталь прадукту

Ужыванне

Тэгі прадукту

Агульнае апісанне

WSD30140DN56 - гэта найвышэйшы прадукцыйны N-канальны МАП-транзістар з вельмі высокай шчыльнасцю ячэек, які забяспечвае выдатны RDSON і зарад засаўкі для большасці прыкладанняў сінхроннага паніжальнага пераўтваральніка. WSD30140DN56 адпавядае патрабаванням RoHS і экалагічна чыстым прадуктам, 100% гарантыя EAS, зацверджана поўная функцыянальная надзейнасць.

Асаблівасці

Удасканаленая тэхналогія Trench з высокай шчыльнасцю ячэек, звышнізкі зарад засаўкі, выдатнае аслабленне эфекту CdV/dt, 100% гарантыя EAS, даступныя экалагічныя прылады

Прыкладанні

Высокачашчынная сінхранізацыя кропкі нагрузкі, паніжальныя пераўтваральнікі, сеткавыя сістэмы сілкавання пастаяннага і пастаяннага току, прымяненне электраінструментаў, электронныя цыгарэты, бесправадная зарадка, беспілотнікі, медыцынскае абслугоўванне, зарадка аўтамабіляў, кантролеры, лічбавыя прадукты, дробная бытавая тэхніка, бытавая электроніка

адпаведны нумар матэрыялу

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. НА NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

Важныя параметры

Сімвал	Параметр	Рэйтынг	Адзінкі
ВДС	Напружанне сток-крыніца	30	V
VGS	Напружанне затвор-выток	±20	V
ID@TC=25 ℃	Пастаянны ток уцечкі, VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70 ℃	Пастаянны ток уцечкі, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Імпульсны ток сцёку2	300	A
PD@TC=25 ℃	Агульная магутнасць рассейвання4	50	W
ТСТГ	Тэмпературны дыяпазон захоўвання	-55 да 150	℃
TJ	Дыяпазон працоўных тэмператур злучэння	-55 да 150	℃

Сімвал	Параметр	Умовы	Мін.	Тып.	Макс.	адзінка
БВДСС	Напружанне прабоя сток-выток	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Тэмпературны каэфіцыент BVDSS	Спасылка на 25 ℃, ID=1 мА	---	0,02	---	В/℃
RDS (УКЛ.)	Статычнае супраціўленне сцёку-крыніцы2	VGS=10В, ID=20A	---	1.7	2.4	мОм
RDS (УКЛ.)	Статычнае супраціўленне сцёку-крыніцы2	VGS=4,5В, ID=15A		2.5	3.3	мОм
VGS(й)	Парогавае напружанне засаўкі	VGS=VDS, ID =250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Ток уцечкі сток-выток	VDS=24В, VGS=0В, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Ток уцечкі сток-выток	VDS=24В, VGS=0В, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Ток уцечкі затвор-выток	VGS=±20В, VDS=0В	---	---	±100	nA
gfs	Прамая праводнасць	VDS=5V, ID=20A	---	90	---	S
Qg	Агульны зарад варот (4,5 В)	VDS=15В, VGS=4,5В, ID=20A	---	26	---	nC
Qgs	Зарад варот-крыніцы		---	9.5	---
Qgd	Зарад варот-сцёку		---	11.4	---
Td (уключана)	Час затрымкі ўключэння	VDD=15В, VGEN=10В, RG=3Ω, RL=0,75Ω.	---	11	---	ns
Tr	Час уздыму		---	6	---
Td (выключана)	Час затрымкі выключэння		---	38.5	---
Tf	Восеньскі час		---	10	---
снч	Уваходная ёмістасць	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	3000	---	pF
Кос	Выхадная ёмістасць		---	1280 год	---
Крос	Ёмістасць зваротнай перадачы		---	160	---