WSD2018BDN22 WSD2018ADN22 WSD2018DN22 N-канальны 12V 12.3A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

прадукты

WSD2018BDN22 WSD2018ADN22 WSD2018DN22 N-канальны 12V 12.3A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

кароткае апісанне:

Частка нумар:WSD2018BDN22 WSD2018ADN22 WSD2018DN22

BVDSS:12В

ID:12.3A

RDSON:8,6 мОм

Канал:N-канал

Пакет:ДФН2Х2-6Л


Дэталь прадукту

Ужыванне

Тэгі прадукту

Агляд прадукту WINSOK MOSFET

Напружанне WSD2018BDN22 WSD2018ADN22 WSD2018DN22 MOSFET складае 12 В, ток 12,3 А, супраціўленне 8,6 мОм, канал N-канальны, пакет DFN2X2-6L.

Вобласці прымянення WINSOK MOSFET

Аўтамабільная электроніка MOSFET, святлодыёдны MOSFET, гукавы MOSFET, лічбавы прадукт MOSFET, дробная бытавая тэхніка MOSFET, бытавая электроніка MOSFET, ахоўная плата MOSFET

WINSOK MOSFET адпавядае нумарам матэрыялаў іншых брэндаў

AOS MOSFET AON2406,AON2408.

Магутны MOSFET PDEB2310Y.

Параметры MOSFET

Частка нумар

Канфігурацыя

Тып

ВДС

VGS

ID (A)

RDS (ВКЛ.) (мОм)

RDS (ВКЛ.) (мОм)

снч

Пакет

@10В

@6В

@4,5 В

@2,5 В

@1,8 В

(V)

±(V)

Макс.

Тып.

Макс.

Тып.

Макс.

Тып.

Макс.

Тып.

Макс.

Тып.

Макс.

(пФ)

WSD2018BDN22

Халасты

N-Ch

12

8

12.3

-

-

-

-

8.6

11.5

12

18

-

-

850

ДФН2Х2-6Л

WSD2018ADN22

Халасты

N-Ch

20

10

11

-

-

-

-

9.5

12

11

14

14.5

18

1177

ДФН2Х2-6Л

WSD2018DN22

Халасты

N-Ch

20

10

12

-

-

-

-

10

15

13

18

18

30

1800 год

ДФН2Х2-6Л


  • Папярэдняя:
  • далей:

  • Напішыце тут сваё паведамленне і адпраўце яго нам