WSD1216DN22 WSD1216BDN22 P-канал -12V -9.4A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
Агляд прадукту WINSOK MOSFET
Напружанне WSD1216DN22 WSD1216BDN22 MOSFET складае -12 В, ток -9,4 А, супраціўленне - 15 мОм, канал - P-канальны, пакет - DFN2X2-6L.
Вобласці прымянення WINSOK MOSFET
Электронныя цыгарэты MOSFET, кантролер MOSFET, лічбавы прадукт MOSFET, малая бытавая тэхніка MOSFET, бытавая электроніка MOSFET.
WINSOK MOSFET адпавядае нумарам матэрыялаў іншых брэндаў
AOS MOSFET AON2403.
Onsemi, FAIRCHILD MOSFET FDMA908PZ.
Nxperian MOSFET PMPB15XP.
TOSHIBA MOSFET SSM6J512NU.
Магутны MOSFET PDB2309L.
Параметры MOSFET
| Нумар дэталі | Канфігурацыя | Тып | ВДС | VGS | ID (A) | RDS (ВКЛ.) (мОм) | RDS (ВКЛ.) (мОм) | снч | Пакет | ||||||||
| @10В | @6В | @4,5 В | @2,5 В | @1,8 В | |||||||||||||
| (V) | ±(V) | Макс. | Тып. | Макс. | Тып. | Макс. | Тып. | Макс. | Тып. | Макс. | Тып. | Макс. | (пФ) | ||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Халасты | П-Ч | -12 | 8 | -9,4 | - | - | - | - | 15 | 20 | 20 | 27 | - | - | 1400 | ДФН2Х2-6Л | |
| Халасты | П-Ч | -12 | 8 | -15 | - | - | - | - | 14 | 23 | 20 | 35 | - | - | 1100 | ДФН2Х2-6Л | |
Напішыце тут сваё паведамленне і адпраўце яго нам
