WSD100N15DN56G N-канальны 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Нумар дэталі:WSD100N15DN56G

BVDSS:150В

ID:100А

RDSON:6 мОм

Канал:N-канал

Пакет:ДФН5Х6-8

Адправіць запыт PDF

Дэталь прадукту

Напружанне WSD100N15DN56G MOSFET складае 150 В, ток - 100 А, супраціў - 6 мОм, канал - N-канальны, пакет - DFN5X6-8.

Медыцынскія блокі сілкавання MOSFET, PDs MOSFET, дроны MOSFET, электронныя цыгарэты MOSFET, асноўныя прыборы MOSFET і электраінструменты MOSFET.

Сімвал	Параметр	Рэйтынг	Адзінкі
ВДС	Напружанне сток-крыніца	150	V
VGS	Напружанне затвор-выток	±20	V
ID	Пастаянны ток сцёку, В_GS@ 10В(Т_C=25 ℃)	100	A
IDM	Імпульсны ток сцёку	360	A
EAS	Лавінавая энергія аднаго імпульсу	400	mJ
P_D	Агульнае рассейванне магутнасці..._C=25 ℃)	160	W
RθJA	Цеплавое супраціўленне, спалучэнне - навакольнае асяроддзе	62	℃/Вт
RθJC	Тэрмаўстойлівасць, злучальны корпус	0,78	℃/Вт
ТСТГ	Тэмпературны дыяпазон захоўвання	-55 да 175	℃
T_J	Дыяпазон працоўных тэмператур злучэння	-55 да 175	℃

Сімвал	Параметр	Умовы	Мін.	Тып.	Макс.	Адзінка
BV_DSS	Напружанне прабоя сток-выток	V_GS=0В , я_D=250 мкА	150	---	---	V
RDS (УКЛ.)	Статычнае супраціўленне сток-крыніца²	V_GS=10В, я_D=20А	---	9	12	мОм
VGS(й)	Парогавае напружанне засаўкі	V_GS=V_DS, я_D=250 мкА	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Ток уцечкі сток-выток	V_DS=100В, В_GS=0В, Т_J=25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	Ток уцечкі затвор-выток	V_GS=±20В, В_DS=0В	---	---	±100	nA
Q_g	Агульная плата за вароты	V_DS=50В, В_GS=10В, я_D=20А	---	66	---	nC
Q_gs	Зарад варот-крыніцы		---	26	---
Q_gd	Зарад варот-сцёку		---	18	---
Td (уключана)	Час затрымкі ўключэння	V_DD=50В,V_GS=10В R_G=2Ω, I_D=20А	---	37	---	ns
T_r	Час уздыму		---	98	---
Td (выключана)	Час затрымкі выключэння		---	55	---
T_f	Восеньскі час		---	20	---
C_вып	Уваходная ёмістасць	V_DS=30В, В_GS=0 В, f=1 МГц	---	5450	---	pF
Кос	Выхадная ёмістасць		---	1730 год	---
C_rss	Ёмістасць зваротнай перадачы		---	195	---