POTENS Semiconductor PMC4998X N-канальны MOSFET DFN5X6-8

POTENS Semiconductor PMC4998X N-канальны МАП-транзістар DFN5X6-8 Рэкамендаваны малюнак

кароткае апісанне:

Нумар дэталі:PMC4998X

Канал:N-канал

Пакет:ДФН5Х6-8

Дашліце нам ліст PDF

Дэталь прадукту

Ужыванне

Тэгі прадукту

Агляд прадукту MOSFET

POTENS Semiconductor PMC4998X

адпаведны нумар матэрыялу

Напружанне BVDSS WINSOK WSD40190DN56G FET складае 40 В, ток 190 А, супраціўленне 1,25 мОм, канал N-канальны, пакет DFN5X6-8.

Вобласці прымянення MOSFET

Электронныя цыгарэты MOSFET, бесправадная зарадка MOSFET, дроны MOSFET, медыцынская дапамога MOSFET, аўтамабільныя зарадныя прылады MOSFET, кантролеры MOSFET, лічбавыя прадукты MOSFET, дробная бытавая тэхніка MOSFET, бытавая электроніка MOSFET.

Папярэдняя: PJQ5428 PKC26BB PKE24BB PDC392X N-канальны MOSFET DFN5X6-8

далей: STL1N8F7 BSC42NE7NS3G BSC36NE7NS3G PDC7966X N-канальны MOSFET DFN5X6-8

Напішыце тут сваё паведамленне і адпраўце яго нам