-
Розніца паміж N-канальным MOSFET і P-канальным MOSFET! Дапамажыце вам лепш выбраць вытворцаў MOSFET!
Пры выбары MOSFET распрацоўшчыкі схем, напэўна, задумаліся над пытаннем: ці варта ім выбраць P-канальны MOSFET або N-канальны MOSFET? Як вытворца, вы павінны захацець, каб ваша прадукцыя канкурыравала з іншымі гандлярамі па больш нізкіх коштах, і вы...Больш падрабязна -
Падрабязнае тлумачэнне прынцыповай схемы MOSFET | Аналіз унутранай структуры FET
MOSFET з'яўляецца адным з самых асноўных кампанентаў у паўправадніковай прамысловасці. У электронных схемах MOSFET звычайна выкарыстоўваецца ў схемах узмацняльніка магутнасці або імпульсных крыніцах харчавання і шырока выкарыстоўваецца. Ніжэй OLUKEY дасць вам ...Больш падрабязна -
Olukey тлумачыць для вас параметры MOSFET!
З'яўляючыся адным з самых асноўных прылад у галіне паўправаднікоў, МАП-транзістар шырока выкарыстоўваецца як у распрацоўцы мікрасхем, так і ў схемах на ўзроўні платы. Такім чынам, колькі вы ведаеце аб розных параметрах MOSFET? Як спецыяліст па сярэдняй і нізкай...Больш падрабязна -
Olukey: Давайце пагаворым пра ролю MOSFET у базавай архітэктуры хуткай зарадкі
Базавая структура блока харчавання хуткай зарадкі QC выкарыстоўвае зваротны ход + другасны бок (другаснага) сінхроннага выпрамлення SSR. Для зваротных пераўтваральнікаў, у адпаведнасці з метадам выбаркі зваротнай сувязі, яго можна падзяліць на: першасны бок (прыма...Больш падрабязна -
Колькі вы ведаеце пра параметры MOSFET? OLUKEY аналізуе гэта для вас
"MOSFET" - гэта абрэвіятура ад металааксіднага паўправадніковага палявога транзістара. Гэта прылада, вырабленае з трох матэрыялаў: металу, аксіду (SiO2 або SiN) і паўправадніка. MOSFET з'яўляецца адным з самых асноўных прылад у галіне паўправаднікоў. ...Больш падрабязна -
Як выбраць MOSFET?
У апошні час, калі многія кліенты прыходзяць у Olukey, каб пракансультавацца аб MOSFET, яны зададуць пытанне, як выбраць прыдатны MOSFET? Што тычыцца гэтага пытання, то Olukey адкажа кожнаму. Перш за ўсё трэба зразумець князя...Больш падрабязна -
Прынцып працы N-канальнага MOSFET у рэжыме паляпшэння
(1) Эфект кіравання vGS на ідэнтыфікатар і канал ① Выпадак vGS=0 Відаць, што паміж стокам d і крыніцай s МАП-транзістара ў рэжыме паляпшэння ёсць два PN-пераходы спіна да спіны. Калі напружанне затвор-выток vGS=0, нават калі...Больш падрабязна -
Узаемасувязь паміж упакоўкай MOSFET і параметрамі, як выбраць FET з адпаведнай упакоўкай
①Устаўная ўпакоўка: TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; ②Тып павярхоўнага мантажу: TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5*6, DFN3*3; Розныя формы ўпакоўкі, адпаведны ліміт току, напружання і эфект рассейвання цяпла MO...Больш падрабязна -
Што азначаюць тры кантакты G, S і D упакаванага MOSFET?
Гэта спакаваны MOSFET піраэлектрычны інфрачырвоны датчык. Прамавугольная рама - гэта акно зандзіравання. Вывод G - гэта клема зазямлення, кантакт D - унутраны сток MOSFET, а кантакт S - унутраны крыніца MOSFET. У ланцугу, ...Больш падрабязна -
Важнасць сілавога MOSFET у распрацоўцы і дызайне мацярынскай платы
Перш за ўсё, вельмі важна размяшчэнне разеткі працэсара. Павінна быць дастаткова месца для ўстаноўкі вентылятара працэсара. Калі ён знаходзіцца занадта блізка да краю мацярынскай платы, будзе цяжка ўсталяваць радыятар працэсара ў некаторых выпадках, калі...Больш падрабязна -
Коратка раскажам аб спосабе вытворчасці магутнага MOSFET прылады цеплаадводу
Канкрэтны план: прылада рассейвання цяпла MOSFET высокай магутнасці, уключаючы полы корпус і друкаваную плату. Друкаваная плата размешчана ў корпусе. Шэраг размешчаных побач МОП-транзістораў падлучаны да абодвух канцоў схемы...Больш падрабязна -
Пакет FET DFN2X2 з адным P-каналам 20V-40V мадэльнае размяшчэнне_WINSOK MOSFET
Пакет WINSOK MOSFET DFN2X2-6L, адзін P-канальны FET, напружанне 20-40 В. Мадэлі зведзены наступным чынам: 1. Мадэль: WSD8823DN22 з адным P-каналам -20 В -3,4 A, унутранае супраціўленне 60 мОм Адпаведныя мадэлі: AOS: AON2403 ON Semiconductor: FDM ...Больш падрабязна
