-
Olukey: Давайце пагаворым пра ролю MOSFET у базавай архітэктуры хуткай зарадкі
Базавая структура блока харчавання хуткай зарадкі QC выкарыстоўвае зваротны ход + другасны бок (другаснага) сінхроннага выпрамлення SSR. Для зваротных пераўтваральнікаў, у адпаведнасці з метадам выбаркі зваротнай сувязі, яго можна падзяліць на: першасны бок (прыма...Больш падрабязна -
Колькі вы ведаеце пра параметры MOSFET? OLUKEY аналізуе гэта для вас
"MOSFET" - гэта абрэвіятура ад металааксіднага паўправадніковага палявога транзістара. Гэта прылада, вырабленае з трох матэрыялаў: металу, аксіду (SiO2 або SiN) і паўправадніка. MOSFET з'яўляецца адным з самых асноўных прылад у галіне паўправаднікоў. ...Больш падрабязна -
Як выбраць MOSFET?
У апошні час, калі многія кліенты прыходзяць у Olukey, каб пракансультавацца аб MOSFET, яны зададуць пытанне, як выбраць прыдатны MOSFET? Што тычыцца гэтага пытання, то Olukey адкажа кожнаму. Перш за ўсё трэба зразумець князя...Больш падрабязна -
Прынцып працы N-канальнага MOSFET у рэжыме паляпшэння
(1) Эфект кіравання vGS на ідэнтыфікатар і канал ① Выпадак vGS=0 Відаць, што паміж стокам d і крыніцай s МАП-транзістара ў рэжыме паляпшэння ёсць два PN-пераходы спіна да спіны. Калі напружанне затвор-выток vGS=0, нават калі...Больш падрабязна -
Узаемасувязь паміж упакоўкай MOSFET і параметрамі, як выбраць FET з адпаведнай упакоўкай
①Устаўная ўпакоўка: TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; ②Тып павярхоўнага мантажу: TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5*6, DFN3*3; Розныя формы ўпакоўкі, адпаведны ліміт току, напружання і эфект рассейвання цяпла MO...Больш падрабязна -
Што азначаюць тры кантакты G, S і D упакаванага MOSFET?
Гэта спакаваны MOSFET піраэлектрычны інфрачырвоны датчык. Прамавугольная рама - гэта акно зандзіравання. Вывод G - гэта клема зазямлення, кантакт D - унутраны сток MOSFET, а кантакт S - унутраны крыніца MOSFET. У ланцугу, ...Больш падрабязна -
Важнасць сілавога MOSFET у распрацоўцы і дызайне мацярынскай платы
Перш за ўсё, вельмі важна размяшчэнне разеткі працэсара. Павінна быць дастаткова месца для ўстаноўкі вентылятара працэсара. Калі ён знаходзіцца занадта блізка да краю мацярынскай платы, будзе цяжка ўсталяваць радыятар працэсара ў некаторых выпадках, калі...Больш падрабязна -
Коратка раскажам аб спосабе вытворчасці магутнага MOSFET прылады цеплаадводу
Канкрэтны план: прылада рассейвання цяпла MOSFET высокай магутнасці, уключаючы полы корпус і друкаваную плату. Друкаваная плата размешчана ў корпусе. Шэраг размешчаных побач МОП-транзістораў падлучаны да абодвух канцоў схемы...Больш падрабязна -
Пакет FET DFN2X2 з адным P-каналам 20V-40V мадэльнае размяшчэнне_WINSOK MOSFET
Пакет WINSOK MOSFET DFN2X2-6L, адзін P-канальны FET, напружанне 20-40 В. Мадэлі зведзены наступным чынам: 1. Мадэль: WSD8823DN22 з адным P-каналам -20 В -3,4 A, унутранае супраціўленне 60 мОм Адпаведныя мадэлі: AOS: AON2403 ON Semiconductor: FDM ...Больш падрабязна -
Падрабязнае тлумачэнне прынцыпу працы MOSFET высокай магутнасці
Магутныя MOSFET (метала-аксід-паўправадніковыя палявыя транзістары) гуляюць важную ролю ў сучаснай электроннай тэхніцы. Гэта прылада стала незаменным кампанентам у сілавой электроніцы і прымяненні высокай магутнасці дзякуючы...Больш падрабязна -
Зразумець прынцып працы MOSFET і выкарыстоўваць электронныя кампаненты больш эфектыўна
Разуменне прынцыпаў працы MOSFET (метал-аксід-паўправадніковыя палявыя транзістары) мае вырашальнае значэнне для эфектыўнага выкарыстання гэтых высокаэфектыўных электронных кампанентаў. MOSFET з'яўляюцца незаменнымі элементамі ў электронных ...Больш падрабязна -
Зразумець MOSFET у адным артыкуле
Сілавыя паўправадніковыя прылады шырока выкарыстоўваюцца ў прамысловасці, спажыванні, ваеннай і іншых галінах і займаюць высокае стратэгічнае становішча. Давайце паглядзім на агульную карціну прылад харчавання з малюнка: ...Больш падрабязна
