-
Распазнаванне MOSFET з ізаляваным пластовым засаўкам
Ізаляцыйны пласт затвора MOSFET псеўданім MOSFET (далей MOSFET), які мае абалонку кабеля з дыяксіду крэмнія ў сярэдзіне засаўкі напружання і сцёку крыніцы. MOSFET таксама N-канальны і P-канальны дзве катэгорыі, але кожная катэгорыя дзеліцца на ан...Больш падрабязна -
Як вызначыць, добры ці дрэнны MOSFET?
Ёсць два спосабы адрозніць добры MOSFET ад дрэннага: Першы: якасна адрозніць перавагі і недахопы MOSFET. Спачатку выкарыстоўвайце блок мультиметра R × 10kΩ (убудаваная акумулятарная батарэя 9V або 15V), падключаную мінусавую ручку (чорную). ...Больш падрабязна -
Ідэі для вырашэння сур'ёзнага выпрацоўкі цяпла MOSFET
Я не ведаю, ці знайшлі вы праблему, MOSFET дзейнічае як абсталяванне імпульснага крыніцы сілкавання падчас працы часам моцна награваецца, хочам вырашыць праблему нагрэву MOSFET, спачатку нам трэба вызначыць прычыны, таму нам трэба праверыць, каб каб даведацца, дзе пр...Больш падрабязна -
Роля MOSFET ў схемах
МАП-транзістары гуляюць пэўную ролю ў пераключэнні ланцугоў, каб кіраваць уключэннем і выключэннем ланцуга і пераўтварэннем сігналу. МАП-транзістары можна падзяліць на дзве катэгорыі: N-канальныя і P-канальныя. У N-канальнай ланцугу МОП-транзістара на выснове BEEP высокі ўзровень, каб уключыць гукавы сігнал, і вось...Больш падрабязна -
Зірніце на MOSFET
МАП-транзістары з'яўляюцца ізалявальнымі МАП-транзістарамі ў інтэгральных схемах. МАП-транзістары, як адны з самых простых прылад у галіне паўправаднікоў, шырока выкарыстоўваюцца ў схемах на ўзроўні платы, а таксама ў распрацоўцы мікрасхем. Сцёк і крыніца МАП-транзістораў могуць быць інтэгр...Больш падрабязна -
Базавая ідэнтыфікацыя і тэставанне MOSFET
1. Ідэнтыфікацыя кантакту пераходнага MOSFET Затвор MOSFET з'яўляецца базай транзістара, а сток і выток з'яўляюцца калектарам і эмітэрам адпаведнага транзістара. Мультыметр для перадач R × 1k, з двума ручкамі для вымярэння супраціву наперад і назад b...Больш падрабязна -
Прычыны і прафілактыка збою MOSFET
Дзве асноўныя прычыны адмовы MOSFET: Збой напружання: гэта значыць, напружанне BVdss паміж сцёкам і крыніцай перавышае намінальнае напружанне MOSFET і дасягае пэўнай ёмістасці, што прыводзіць да адмовы MOSFET. Збой напругі на варотах: на варотах падаецца ненармальнае напружанне ...Больш падрабязна -
Што я магу зрабіць, каб выправіць мой MOSFET, які моцна награваецца?
У схемах сілкавання або ланцугах сілкавання ў галіне руху непазбежна выкарыстоўваюцца MOSFET, якія бываюць розных тыпаў і маюць мноства функцый. Для камутацыйнага крыніцы харчавання або рухальных прылад натуральна выкарыстоўваць яго функцыю пераключэння. Незалежна ад N-тыпу o...Больш падрабязна -
Характарыстыкі праводнасці MOSFET
Праводнасць MOSFET азначае, што ён выкарыстоўваецца ў якасці пераключальніка, што эквівалентна замыканню перамыкача. NMOS характарызуецца як праводзіць, калі Vgs перавышае абмежаванае значэнне, якое прымяняецца да ўмовы з крыніцай, падлучанай да заземленай прылады, і патрабуе толькі засаўкі том...Больш падрабязна -
Працоўныя характарыстыкі MOSFET
Фактычна, з назвы сілавога MOSFET вынікае, што ён можа працаваць зноў, калі выхадны ток большы, класіфікацыя MOSFET дзеліцца на шмат відаў, якія па характарыстыках энергаспажывання можна падзяліць на ўзмацненне і знясіленне тыпу, калі...Больш падрабязна -
Аналіз прычын неэфектыўнасці MOSFET
На дадзеным этапе прымянення прамысловасці, прымяненне першага рэйтынгу спажывецкай электронікі прылады адаптара тавараў. На другім месцы - матчыны платы, адаптары, ВК-маніторы і іншыя тавары. На трэцім месцы - сетка сувязі...Больш падрабязна -
Аналіз параметраў і вымярэнне MOSFET
Існуе шмат тыпаў асноўных параметраў MOSFET, якія змяшчаюць параметры пастаяннага току, пераменнага току і лімітавыя параметры, але ў агульным прымяненні трэба звяртаць увагу толькі на наступныя асноўныя параметры: стан насычэння крыніцы ўцечкі, ток адціскання IDSS. .Больш падрабязна
