-
Аналіз паляпшэння і знясілення MOSFET
D-FET знаходзіцца ў зрушэнні варот 0, калі існаванне канала, можа праводзіць FET; E-FET знаходзіцца ў зрушэнні варот 0, калі няма канала, не можа правесці FET. гэтыя два тыпы палявых транзістораў маюць свае асаблівасці і прымяненне. Увогуле, пашыраны FET у высакахуткасных, маламагутных...Больш падрабязна -
Рэкамендацыі па выбары корпуса MOSFET
Па-другое, абмежаванні памеру сістэмы. Некаторыя электронныя сістэмы абмежаваныя памерам друкаванай платы і ўнутранай вышынёй, напрыклад, сістэмы сувязі, модульныя крыніцы харчавання з-за абмежаванняў па вышыні звычайна выкарыстоўваюць пакет DFN5 * 6, DFN3 * 3; у некаторых блоках харчавання ACDC,...Больш падрабязна -
Метад вытворчасці ланцуга кіравання MOSFET высокай магутнасці
Ёсць два асноўныя рашэнні: адно заключаецца ў выкарыстанні спецыяльнай мікрасхемы драйвера для кіравання МОП-транзістарам або выкарыстанні хуткіх фотапар, транзістары ўтвараюць схему для кіравання МОП-транзістарам, але першы тып падыходу патрабуе забеспячэння незалежнага крыніцы харчавання; другі...Больш падрабязна -
Аналіз важных прычын выпрацоўкі цяпла MOSFET
Прынцып працы MOSFET тыпу N, тыпу P, сутнасць аднолькавая, MOSFET у асноўным дадаецца да ўваходнага боку напружання засаўкі, каб паспяхова кантраляваць выхадны бок току сцёку, MOSFET - гэта прылада з кіраваннем напругай, праз дабаўленае напружанне да брамы...Больш падрабязна -
Як вызначыць, што магутны MOSFET згарэў праз перагар
(1) MOSFET з'яўляецца элементам кіравання напругай, а транзістар - элементам кіравання токам. У магчымасці кіравання недаступна, ток прывада вельмі малы, варта выбраць MOSFET; і ў сігнале напружанне нізкае, і абяцалі браць больш току ад...Больш падрабязна -
Прыборныя панэлі электрамабіляў схільныя ламацца, магчыма, гэта звязана з якасцю выкарыстоўваных MOSFET
На гэтым этапе на рынку ўжо даўно з'яўляецца ўсё больш і больш электрычных транспартных сродкаў, яго асаблівасці аховы навакольнага асяроддзя былі прызнаныя, і ёсць замена для дызельнага паліва, тэндэнцыя развіцця інструментаў мабільнасці, электрычныя транспартныя сродкі таксама, як і іншыя інструменты мабільнасці, інстр...Больш падрабязна -
Як прадухіліць збой MOSFET
На дадзеным этапе ўзроўню прымянення прамысловасці, першае месца бытавой электронікі прылады адаптара тавараў. А паводле асноўнага выкарыстання МОП-транзістараў попыт на МАП-транзістар займае другое месца ў мацярынскай плаце камп'ютара, NB, камп'ютэрным прафесійным адаптары харчавання, ВК-дысплеі...Больш падрабязна -
Зарадку літыевай батарэі лёгка пашкодзіць, WINSOK MOSFET вам дапаможа!
Літый, як новы тып экалагічна чыстых батарэй, ужо даўно паступова выкарыстоўваецца ў акумулятарных аўтамабілях. Невядома з-за характарыстык літый-жалеза-фасфатных акумулятараў, у працэсе іх выкарыстання павінен быць працэс зарадкі, каб правесці тэхнічнае абслугоўванне перад...Больш падрабязна -
Абарона крыніцы засаўкі MOSFET
MOSFET сам па сабе мае шмат пераваг, але ў той жа час MOSFET мае больш адчувальную здольнасць да кароткатэрміновай перагрузкі, асабліва ў высокачашчынных сцэнарах прымянення, таму пры выкарыстанні сілавых MOSFET павінны быць распрацаваны для яго эфектыўнай схемы абароны для павышэння ўдару. ..Больш падрабязна -
Схема абароны ад перагрузкі па току MOSFET, каб пазбегнуць аварый з перагараннем крыніцы харчавання
Блок харчавання як кампаненты размеркавання электроннага абсталявання, у дадатак да характарыстык, якія неабходна ўлічваць у палажэннях абсталявання сістэмы электразабеспячэння, таксама вельмі важныя ўласныя меры абароны, такія як перагрузка па току, перанапружанне, перагрэў май...Больш падрабязна -
Як выбраць найбольш прыдатную схему драйвера для MOSFET?
У праграме праектавання выключальніка сілкавання і іншых сістэм электразабеспячэння распрацоўшчыкі праграмы будуць звяртаць больш увагі на шэраг асноўных параметраў МАП-транзістара, такіх як рэзістар уключэння-выключэння, большае працоўнае напружанне, большы паток магутнасці. Нягледзячы на тое, што гэты элемент мае вырашальнае значэнне, улічваючы...Больш падрабязна -
Патрабаванні да схемы драйвера MOSFET
З сучаснымі драйверамі MOS існуе некалькі экстраардынарных патрабаванняў: 1. Нізкае напружанне Пры прымяненні імпульснага крыніцы сілкавання 5 В у гэты час выкарыстоўваецца традыцыйная структура татэмнага слупа, таму што страта трыёда складае толькі 0,7 В уверх і ўніз, у выніку чаго ...Больш падрабязна
