Касметычныя прылады - гэта прылады, якія выкарыстоўваюцца для паляпшэння знешняга выгляду скуры і ўмацавання прыгажосці. Іх можна выкарыстоўваць у розных касметычных мэтах, такіх як выдаленне маршчын, падцягванне скуры, асвятленне плям і паляпшэнне тонусу скуры. ПрымяненнеМАП-транзістарыу касметычных інструментах у асноўным уключае распрацоўку электронных схем у такіх прыладах, як прылады для эпіляцыі і радыёчастотныя прылады. У галіне касметычных прыбораў прымяненне МОП-транзістараў у асноўным адлюстроўваецца ў наступных аспектах: Рашэнне прыбора для выдалення валасоў Уводзіны: у прыборах для выдалення валасоў МАП-транзістары могуць выкарыстоўвацца для кантролю выхаднога току, каб забяспечыць бяспеку і эфектыўнасць карыстальніка працэс выкарыстання. Паколькі прыбор для эпіляцыі павінен награваць скуру, каб разбурыць валасяныя фалікулы, ён патрабуе моцнага кантролю току, і MOSFET гуляюць тут ключавую ролю. Увядзенне праграмы радыёчастотнага інтрадьюсера: радыёчастотны інтрадьюсер награвае глыбокія тканіны скуры з дапамогай радыёчастотнай энергіі, каб спрыяць рэарганізацыі калагена і дасягнуць эфекту падцягвання скуры. MOSFET можа выкарыстоўвацца ў такім абсталяванні для рэгулявання выхаду радыёчастотнай энергіі для забеспячэння бяспекі і эфектыўнасць лячэння. Асноўныя сферы прымянення WINSOK MOSFET: у касметычных прыладах WINSOK MOSFET могуць выкарыстоўвацца для кіравання сілкаваннем, пераключэння ўзроўню або іншых спецыяльных схем для павышэння прадукцыйнасці і надзейнасці прылады. Тэмпературныя характарыстыкі: МАП-транзістары маюць спецыяльную тэмпературна-токовую характарыстыку, дзе ток канала IDS памяншаецца, калі тэмпература трубкі павышаецца. Гэтая характарыстыка дапамагае абараніць ланцугі ад пашкоджанняў з-за перагрэву касметычных прылад. Выбар камутацыйнай трубкі і прынцып прымянення: у высокакласных касметычных прыладах, калі МАП-транзістары выкарыстоўваюцца ў якасці камутацыйнай трубкі, для іх праводнасці патрабуецца напружанне засаўкі, большае за напружанне крыніцы. Такая канструкцыя дапамагае павысіць энергаэфектыўнасць і прадукцыйнасць прылады. Падводзячы вынік, МАП-транзістары шырока выкарыстоўваюцца ў касметычных інструментах, і яны забяспечваюць бяспеку, стабільнасць і высокую прадукцыйнасць касметычных інструментаў шляхам дакладнага кантролю току і напружання. MOSFET з'яўляюцца незаменнай часткай рэалізацыі электроннага кіравання, няхай гэта будзе ў інструментах выдалення валасоў або радыёчастотных інструментаў.
WINSOK MOSFET ва ўжыванні касметычнага абсталявання, асноўныя мадэлі прымянення: WST3426, WST3427, WST3400A, WST3401A, WST3400, WST3401, WSP4884, WSP4882, WSF15N10, WSF12N10, WSF06N10, WST3415. WST3415, WSF3013, WSF4012, WSD3045DN,WSD20L50DN, WSD30L30DN, WSP4606.
1” WST3426 з адным N-каналам, корпус SOT-23 20V3A, унутраны супраціў 60 мОм
Адпаведныя мадэлі: мадэль AOS AO3494, мадэль ON FDN339AN/NTR4501/NVR4501N, мадэль VISHAY SI2302CDS/SI2302DDS, мадэль ST STR2N2VH5
Сцэнар прымянення: лічбавыя прадукты, дробная бытавая тэхніка, бытавая электроніка
2” WST3427 з адным P-каналам, корпус SOT-23N, унутранае супраціўленне -20 В-2,5 А 140 мОм.
Адпаведныя мадэлі: мадэлі AOS AO3413/AO3415A/AO3415A/AO3419/AO3423/AO3435/AO3493/AO3495/AO3499/AO21115C, мадэлі Nxperian: PMV30XPEA/PMV33UPE
Сцэнар прымянення: Лічбавыя прадукты Малая бытавая тэхніка Бытавая электроніка
3” WST3401 з адным P-каналам, корпус SOT-23-3L, унутранае супраціўленне -30V12A -5,5 мОм.
Адпаведныя мадэлі: мадэлі AOS AO3407/AO3407A/AO3451/AO3401/AO3401A, мадэль TOSHIBA SSM3J332R/SSM3J372R
Сцэнар прымянення: Кантролер электронных цыгарэт Лічбавыя прадукты Малая бытавая тэхніка Бытавая электроніка
4” WSP4884 з адным N-каналам, пакет SOP-8, унутранае супраціўленне 30V8.8A 18.5mΩ.
Адпаведныя мадэлі: мадэль AOS AO4822/AO4822A/AO4818B/AO4832/AO4914, мадэль ON FDS6912A, мадэль VISHAY Si4214DDY, мадэль INFINEON BSO150N03MD G.
Сцэнар прымянення: электронныя цыгарэты, бесправадная зарадная прылада, рухавікі беспілотнікаў, медыцынскія аўтамабільныя зарадныя прылады, кантролеры, лічбавыя прадукты, дробная тэхніка, бытавая электроніка.
Час публікацыі: 14 мая 2024 г
