Інтэлектуальныя камеры захоўвання пасылак (таксама вядомыя як аўтаматызаваныя станцыі прыёму пасылак) становяцца ўсё больш папулярнымі для зручнай дастаўкі і атрымання пасылак. У будучыні ў гэтых шафках могуць выкарыстоўвацца больш дасканалыя тэхналогіі, такія як распазнаванне твараў і падключэнне да Інтэрнэту рэчаў, каб павысіць бяспеку і зручнасць карыстання, і патэнцыйна інтэграваць больш экалагічна чыстыя матэрыялы.
МАП-транзістары ў інтэлектуальных шафах для пасылак (аўтаматызаваных станцыях прыёму пасылак) сутыкаюцца з праблемамі ў кіраванні энергазабеспячэннем і даўгавечнасцю. Энергаэфектыўнасць патрабуе далейшай аптымізацыі для зніжэння спажывання энергіі; акрамя таго, стабільнасць і здольнасць МАП-транзістараў супрацьстаяць жорсткім вонкавым умовам патрабуюць паляпшэння. Выкарыстанне WINSOKMOSFETможа быць у стане дапамагчы вам вырашыць вышэйзгаданыя праблемы.
ВІНСОКMOSFET выкарыстоўваецца ў разумных экспрэс-шафах. Асноўныя мадэлі прымянення:
| Нумар дэталі | Канфігурацыя | Тып | ВДС | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS (ВКЛ.) (мОм) | снч | Пакет | |||
| @10В | |||||||||||
| (V) | Макс. | Мін. | Тып. | Макс. | Тып. | Макс. | (пФ) | ||||
| Халасты | N-Ch | 20 | 5.5 | 0,5 | 0,7 | 1.4 | - | - | 854 | СОТ-23-3Л | |
| Халасты | N-Ch | 30 | 7 | 0,5 | 0,8 | 1.2 | - | - | 572 | СОТ-23-3Л | |
| Халасты | N-Ch | 30 | 100 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 4 | 1350 год | ДФН5Х6-8 | |
| Халасты | П-Ч | -30 | -120 | -1,2 | -1,5 | -2,5 | 2.9 | 3.6 | 6100 | ДФН5Х6-8 | |
| Халасты | П-Ч | -30 | -8,2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 год | СОП-8 | |
| Халасты | N-Ch | 60 | 50 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | 20 | 23 | 1680 год | ТО-252 | |
Іншыя нумары маркі матэрыялу, якія адпавядаюць вышэйзгаданаму WINSOK MOSFET:
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST2314: AOS AO3420.VISHAY Si2374DS.Sinopower SM2300NSA,SM2302NSA.Potens Semiconductor PDN2318S.DINTEK ELECTRONICS DTS2300A,DTS2312,DTS2314,DTS2316,DTS2322,D TS3214.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST3400: AOS AO3400, AO3400A, AO3404.Onsemi, FAIRCHILD FDN537N.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3912S.DINTEK ELECTRONICS DTS3406.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSD30100DN56: AOS AON6354, AON6572, AON6314, AON6502, AON6510.Onsemi, FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP, SiDR390DP, SiRA80DP, SiDR392DP.STMicroelectronics STL6 5DN3LLH5, STL58N3LLH5.INFINEON,ВК BSC014N03LSG,BSC016N03LSG,BSC014N03MSG,BSC016N03MSG .NXP NXPPSMN7R0-30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEM PK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSD30L120DN56: AOS AON6403, AON6407, AON6411.PANJIT PJQ5427.Potens Semiconductor PDC3901X.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4435: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4807, AO4813.Onsemi, FAIRCHILD FDS4465BZ, FDS6685. VISHAY Si4431CDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6, STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4437.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSF40N06: AOS AOD2606, AOD2610E, AOD442G, AOD66620.Onsemi, FAIRCHILD FDD10AN06A0.VISHAY SUD50N06-09L.STMicroelectronics STD20NF06LAG.INFINEON,IR IPD079N06L3 G.TOSHIBA TK45S06K3L.PANJIT PJD45N06A.Sinopower SM6019NSU.Potens Semiconductor PDD6904. DINTEK ELECTRONICS DTU50N06.
Час публікацыі: 19 лістапада 2023 г
