Тэхналогія хуткай зарадкі, як асноўная частка сучаснага электроннага абсталявання, хутка развіваецца і развіваецца. Падштурхоўваючыся да рынку хуткай зарадкі, такія галіны, як смартфоны і электрамабілі, усё больш патрабуюць хуткіх і эфектыўных рашэнняў для зарадкі. Інавацыі ў тэхналогіі хуткай зарадкі засяроджваюцца не толькі на павышэнні хуткасці зарадкі, але і на бяспецы. Зазіраючы ў будучыню, тэхналогія хуткай зарадкі будзе спалучацца з бесправадной зарадкай і больш эфектыўнай тэхналогіяй акумулятара, каб дасягнуць якаснага скачка і забяспечыць карыстальнікам больш зручны і экалагічна чысты вопыт зарадкі. Чакаецца, што з развіццём тэхналогій і пашырэннем рынку індустрыя хуткай зарадкі працягне хуткі рост.
Калі мы гаворым пра прымяненнеMOSFETу тэхналогіі хуткай зарадкі насамрэч ёсць некалькі галаўных боляў.
Перш за ўсё таму, што хуткая зарадка патрабуе вялікага току, тMOSFETбудзе вельмі моцна награвацца, і як змагацца з гэтым цяплом становіцца вялікай праблемай. Акрамя таго, ёсць праблемы з эфектыўнасцю. Пры хуткім пераключэнні MOSFET лёгка губляе частку энергіі, што ўплывае на эфектыўнасць зарадкі. Акрамя таго, спадзяецца, што абсталяванне для хуткай зарадкі будзе як мага меншым, але для гэтага патрабуецца, каб MOSFET быў невялікім і таксама вырашаў праблему цяпла. Паколькі MOSFET хутка перамыкаецца, ён можа ствараць перашкоды іншаму электроннаму абсталяванню, што таксама з'яўляецца праблемай. Нарэшце, асяроддзе хуткай зарадкі мае высокія патрабаванні да вытрымлівання напружання і току MOSFET, што з'яўляецца тэстам на іх прадукцыйнасць. Праца ў такіх умовах на працягу доўгага часу таксама можа паўплываць на іх тэрмін службы і надзейнасць. Карацей кажучы, хоць MOSFET мае вырашальнае значэнне для хуткай зарадкі, ён сутыкаецца са шматлікімі праблемамі.
ВІНСОКMOSFET можа дапамагчы вам вырашыць вышэйпералічаныя праблемы. Асноўныя мадэлі прымянення WINSOK MOSFET для хуткай зарадкі:
| Нумар дэталі | Канфігурацыя | Тып | ВДС | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS (ВКЛ.) (мОм) | снч | Пакет | |||
| @10В | |||||||||||
| (V) | Макс. | Мін. | Тып. | Макс. | Тып. | Макс. | (пФ) | ||||
| Халасты | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Халасты | П-Ч | -30 | -40 | -1,3 | -1,8 | -2,3 | 11 | 14 | 1380 год | DFN3X3-8 | |
| Халасты | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | СОП-8 | |
| Халасты | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | СОП-8 | |
| Халасты | П-Ч | -30 | -8,2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 год | СОП-8 | |
| Халасты | П-Ч | -30 | -13 | -1,2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 год | СОП-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | СОП-8 | |
| П-Ч | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Халасты | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | ТО-220 | |
Іншыя нумары маркі матэрыялу, якія адпавядаюць вышэйзгаданаму WINSOK MOSFET:
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSD3050DN: AOS AON7318, AON7418, AON7428, AON7440, AON7520, AON7528, AON7544, AON7542.Onsemi, FAIRCHILD NTTFS4939N, NTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.Nxperian PSM N9R8-30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSD30L40DN: AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA,PE507BA.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP6020: AOS AO4262E, AO4264E, AO4268.Onsemi, FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS6904-5.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP16N10: AOS AO4290, AO4290A, AO4294, AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4435: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4807, AO4813.Onsemi, FAIRCHILD FDS4465BZ, FDS6685. VISHAY Si4431CDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4437.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4407: AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3LL H6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4606: AOS AO4606, AO4630, AO4620, AO4924, AO4627, AO4629, AO4616.Onsemi, FAIRCHILD ECH8661, FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.Sinopower SM4901 CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELECTRONICS DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSR80N10: AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10N3 G,IPP086N10N3 G.NXP PSMN9R5- 100PS.TOSHIBA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Час публікацыі: 28 лістапада 2023 г
