Індустрыя аўтамабільных зарадных прылад зараз квітнее.З ростам папулярнасці электрамабіляў працягвае расці попыт на аўтамабільныя зарадныя прылады і мабільныя зарадныя прылады.Чакаецца, што гэтая галіна прывядзе да большай колькасці інавацый і тэхналагічных прарываў, што паказвае на шырокія перспектывы развіцця, асабліва ў разумных і эфектыўных рашэннях для зарадкі.
Выкарыстанне MOSFET ва ўбудаваных зарадных прыладах сутыкаецца з некалькімі праблемамі: высокія тэмпературы і частыя перапады тэмператур ставяць пад сумнеў іх стабільнасць;эфектыўнасць і цеплавыдзяленне - праблемы пры працы на высокіх частотах;плюс неабходнасць заставацца трывалым ва ўмовах вібрацыі аўтамабіля і нестабільнага электразабеспячэння.Гэта болевыя кропкі, якія трэба пераадолець.
ПрымяненнеВІНСОКсярэдняга і нізкага напружанняMOSFETу аўтамабільных зарадных прыладах, асноўныя мадэлі прымянення:
| Частка нумар | Канфігурацыя | Тып | ВДС | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS (ВКЛ.) (мОм) | снч | Пакет | |||
| @10В | |||||||||||
| (V) | Макс. | Мін. | Тып. | Макс. | Тып. | Макс. | (пФ) | ||||
| Халасты | N-Ch | 20 | 4.4 | 0,3 | 0,85 | 1.2 | - | - | 382 | СОТ-23Н | |
| Халасты | П-Ч | -20 | -4,4 | -0,5 | -0,8 | -1,2 | - | - | 857 | СОТ-23Н | |
| Халасты | N-Ch | 100 | 4.2 | 1 | 1.5 | 3 | 80 | 100 | 740 | СОТ-89 | |
| Халасты | П-Ч | -30 | -40 | -1,3 | -1,8 | -2,3 | 11 | 14 | 1380 год | DFN3X3-8 | |
| Халасты | N-Ch | 30 | 12 | 1.2 | 1.9 | 2.5 | 9.5 | 12 | 770 | СОП-8 | |
| Двайны | N-Ch | 30 | 8.8 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 18.5 | 23 | 580 | СОП-8 | |
| Двайны | П-Ч | -30 | -6,5 | -1 | - | -2,5 | 33 | 46 | 640 | СОП-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 8.8 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 24 | 572 | СОП-8 | |
| П-Ч | -30 | -8,6 | -1 | -1,6 | -2,5 | 22 | 32 | 1415 год | |||
Нумары матэрыялаў іншых брэндаў, якія адпавядаюць вышэйзгаданаму WINSOKMOSFETз'яўляюцца:
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST3424: AOS AO3494.VISHAY Si2377EDS.Sinopower SM2431PSAN.NIKO-SEM PM505BA.DINTEK ELECTRONICS DTS2301,DTS2301B,DTS2301S,DTS2305,DTS2305A,DTS2305AD,DTS 2320F, DTS2371, DTS2391.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST2305: AOS AO3413, AO3415A, AO3415A, AO3419, AO3423, AO3435, AO3493, AO3495, AO3499, AO21115C.Onsemi, FAIRCHILD CPH3356.TOSHIBA SSM3J325F.Sinopower SM 2413PSAN.NIKO-SEM PM513BA.DINTEK ELECTRONICS DTS2301 ,DTS2301B,DTS2301S,DTS2305,DTS2305A,DTS2305AD,DTS2320F,DTS2371,DTS2391.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSE9968: Sinopower SM1A23NSD.DINTEK ELECTRONICS DTC9058.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSD30L40DN: AOS AON7405,AONR21357,AONR7403,AONR21305C.STMicroelectronics STL9P3LLH6.Nxperian PMV50XP.PANJIT PJQ4403P .NIKO-SEM P1203EEA,PE507BA.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4406: AOS AO4406A, AO4306, AO4404B, AO4466, AO4566.Onsemi, FAIRCHILD NTMS4801N.VISHAY Si4178DY.STMicroelectronics STS11NF30L.Nxperian PMV65XP, PMV100XPEA. INFINEON,IR BSO110N03MS G .TOSHIBA TP89R103NL.PANJIT PJL9412 .Sinopower SM4832NSK,SM4834NSK,SM4839NSK.NIKO-SEM PV548BA,P1203BVA,P0903BVA.Potens Semiconductor PDS3908.DINTEK ELECTRONICS DTM9420.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4884: AOS AO4822, AO4822A, AO4818B, AO4832, AO4914.Onsemi, FAIRCHILD FDS6912A.VISHAY Si4214DDY.INFINEON, IR BSO150N03MD G .PANJIT PJL9808 .Sinopower SM480 4DSK,SM4803DSK.NIKO-SEM P1503HV.Potens Semiconductor PDS3812.DINTEK ELECTRONICS DTM4926,DTM4936.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOKMOSFETWSP4807: AOS AO4807.Onsemi,FAIRCHILD FDS8935A,FDS8935BZ.PANJIT PJL9809.Sinopower SM4927BSK.Potens Semiconductor PDS3807.DINTEK ELECTRONICS DTM4953BDY.
Адпаведныя нумары матэрыялу стВІНСОКMOSFET WSP4620: AOS AO4620, AO4924,
AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD FDS8858CZ.PANJIT PJL9606 .Sinopower SM4600CSK,SM4603CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3712.DINTEK ELECTRONICS DTM460 0,DTM4626,DTM4626B.
Час публікацыі: 15 лістапада 2023 г
