Партатыўныя банкі харчавання (таксама вядомыя як партатыўныя зарадныя прылады) шырока выкарыстоўваюцца для розных электронных прылад. Чакаецца, што з прагрэсам у тэхналогіі акумулятараў будучыя банкі харчавання будуць лягчэйшымі, большай ёмістасцю і большай хуткасцю зарадкі. Разумныя функцыі і шматфункцыянальнасць таксама стануць ключавымі напрамкамі развіцця для задавальнення расце попыту на мабільныя энергетычныя рашэнні.
MOSFET ў партатыўных банках харчавання (партатыўных зарадных прыладах) сутыкаюцца з праблемамі эфектыўнасці і даўгавечнасці. Асноўныя праблемы ўключаюць страту магутнасці, недастатковае кіраванне цяплом і праблемы з надзейнасцю пры высокіх нагрузках, якія абмяжоўваюць прадукцыйнасць і працягласць жыцця банкаў харчавання.ВІНСОКMOSFET можа дапамагчы вам вырашыць вышэйпералічаныя праблемы.
Прымяненне MOSFET сярэдняга і нізкага напружання WINSOK у мабільных блоках сілкавання, асноўныя мадэлі прымянення:
Нумар дэталі | Канфігурацыя | Тып | ВДС | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS (ВКЛ.) (мОм) | снч | Пакет | |||
@10В | |||||||||||
(V) | Макс. | Мін. | Тып. | Макс. | Тып. | Макс. | (пФ) | ||||
Халасты | N-Ch | 30 | 5.6 | 0,5 | 0,8 | 1 | - | - | 525 | СОТ-23Н | |
Халасты | N-Ch | 20 | 5.9 | 0,3 | 0,5 | 1.2 | - | - | 395 | СОТ-23-3Л | |
Халасты | N-Ch | 30 | 5.5 | 1 | 1.4 | 2 | 26 | 32 | 391 | СОТ-23-3Л | |
Халасты | П-Ч | -20 | -7,1 | -0,5 | -0,5 | -1 | - | - | 2000 год | СОТ-23-3Л | |
Халасты | П-Ч | -30 | -5,1 | -0,7 | -1 | -1,3 | - | 43 | 826 | СОТ-23-3Л | |
Халасты | П-Ч | -30 | -120 | -1,2 | -1,5 | -2,5 | 2.9 | 3.6 | 6100 | ДФН5Х6-8 | |
Халасты | N-Ch | 30 | 12 | 1.2 | 1.9 | 2.5 | 9.5 | 12 | 770 | СОП-8 | |
Двайны+ESD | N-Ch | 20 | 7.2 | 0,5 | 0,7 | 1.2 | - | - | 615 | СОП-8 | |
Двайны+ESD | N-Ch | 20 | 7.5 | 0,5 | 0,7 | 1.1 | - | - | 620 | СОП-8 | |
Халасты | П-Ч | -30 | -8,2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 год | СОП-8 | |
Халасты | П-Ч | -30 | -13 | -1,2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 год | СОП-8 | |
Двайны | П-Ч | -20 | -5,8 | -0,6 | -1,1 | -1,7 | 40 | 65 | 625 | СОП-8 | |
N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | СОП-8 | |
П-Ч | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
Халасты | П-Ч | -30 | -65 | -1 | -1,6 | -2,5 | 7.5 | 9.5 | 3448 | ТО-252 |
Іншыя нумары маркі матэрыялу, якія адпавядаюць вышэйзгаданаму WINSOK MOSFET:
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST3400S: AOS AO3400, AO3400A, AO3404.VISHAY Si2374DS.TOSHIBA SSM3K345R. Дыёды, уключаныя ZXMN3A04DN8, ZXMC3A18DN8, DMC3032LSD, DMC3016LSD.Sinopower SM231 4NSA.Potens Semiconductor PDN3643.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST2316: AOS AO3420.Potens Semiconductor PDN2318S.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST3408: AOS AO3404,AO3404A,AO3406,AO3454,AO3456.Onsemi,FAIRCHILD FDN537N.VISHAY Si2366DS,Si2336DS.STMicroelectronics STR2N2VH5.Nxperian PMV25ENEA.TOSHIBA S SM3K333R,SSM3K335R.PANJIT PJA3404,PJA3404A.APEC AP2316GN, AP2326GN.Дыёды Incorporated ZXMN3F30FH.Sinopower SM2308NSA,SM2304NSA.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3612S.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST2339: AOS AO3413,AO3415A,AO3415A,AO3419,AO3423,AO3435,AO3493,AO3495,AO3499,AO21115C.VISHAY Si2399DS.TOSHIBA SSM3J355R.Sinopower SM2335PS A.Potens Semiconductor PDN2309S.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST3409: AOS AO3401,AO3401A,AO3453,AO3459.VISHAY Si2343CDS.TOSHIBA SSM3J332R,SSM3J372R.Sinopower SM2315PSA.NIKO-SEM P5103EMG.Potens Semiconductor PDN2309S .
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSD30L120DN56: AOS AON6403, AON6407, AON6411.PANJIT PJQ5427.Potens Semiconductor PDC3901X.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4406: AOS AO4406A,AO4306,AO4404B,AO4466,AO4566.Onsemi,FAIRCHILD NTMS4801N.VISHAY Si4178DY.STMicroelectronics STS11NF30L.INFINEON,IR BSO110N03MS G.TOSHI BA TP89R103NL.PANJIT PJL9412.Sinopower SM4832NSK,SM4834NSK,SM4839NSK .NIKO-SEM PV548BA,P1203BVA,P0903BVA.Potens Semiconductor PDS3908.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP9926: AOS AO9926B, AO9926C.Onsemi, FAIRCHILD FDS6890A, FDS6892A, FDS6911.VISHAY Si9926CDY.Potens Semiconductor PDS3808.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP9926A: AOS AO9926B, AO9926C.Onsemi, FAIRCHILD FDS6890A, FDS6892A, FDS6911.VISHAY Si9926CDY.INFINEON, IR BSO330N02K G.Sinopower SM9926DSK.Potens Semiconductor PDS3 810.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4435: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4807, AO4813.Onsemi, FAIRCHILD FDS4465BZ, FDS6685. VISHAY Si4431CDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6, STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4407: AOS AO4407,4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3LL H6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA, P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4953A: AOS AO4801, AO4801A, AO4803, AO4803A.Onsemi, FAIRCHILD NTMS5P02.VISHAY Si9933CDY.STMicroelectronics STS4DPF20L.TOSHIBA TPC8129.ROHM QH8JA1.PANJIT PJL9 801.APEC AP2P028EM,AP4413GM.Уключаны дыёды ZXMP3A16N8.NIKO- SEM PV521BA.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4606: AOS AO4606, AO4630.
AOS AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.PANJIT PJL9602.Sinopower SM4901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semicondu актар PDS3710.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSF70P03: AOS AOD21357, AOD403, AOD423.Onsemi, FAIRCHILD NVATS4A103PZ.VISHAY SUD50P04.STMicroelectronics STD37P3H6AG,STD40P3LLH6.TOSHIBA TJ60S04M3L.PANJIT PJ D70P03.APEC AP3P9ROH,AP6679BGH.NIKO-SEM PZ0703ED,PD537BA.Potens Semiconductor PDD3959.
Час публікацыі: 24 лістапада 2023 г