MOSFET сярэдняга і нізкага напружання WINSOK выкарыстоўваюцца ў мабільных блоках харчавання

Ужыванне

MOSFET сярэдняга і нізкага напружання WINSOK выкарыстоўваюцца ў мабільных блоках харчавання

Партатыўныя банкі харчавання (таксама вядомыя як партатыўныя зарадныя прылады) шырока выкарыстоўваюцца для розных электронных прылад.Чакаецца, што з прагрэсам у тэхналогіі акумулятараў будучыя банкі харчавання будуць лягчэйшымі, большай ёмістасцю і большай хуткасцю зарадкі.Разумныя функцыі і шматфункцыянальнасць таксама стануць ключавымі напрамкамі развіцця для задавальнення расце попыту на мабільныя энергетычныя рашэнні.

MOSFET сярэдняга і нізкага напружання WINSOK выкарыстоўваюцца ў мабільных блоках харчавання

MOSFET ў партатыўных банках харчавання (партатыўных зарадных прыладах) сутыкаюцца з праблемамі эфектыўнасці і даўгавечнасці.Асноўныя праблемы ўключаюць страту магутнасці, недастатковае кіраванне цяплом і праблемы з надзейнасцю пры высокіх нагрузках, якія абмяжоўваюць прадукцыйнасць і працягласць жыцця банкаў харчавання.ВІНСОКMOSFET можа дапамагчы вам вырашыць вышэйпералічаныя праблемы.

Прымяненне MOSFET сярэдняга і нізкага напружання WINSOK у мабільных блоках харчавання, асноўныя мадэлі прымянення:

Частка нумар

Канфігурацыя

Тып

ВДС

ID (A)

VGS(th)(v)

RDS (ВКЛ.) (мОм)

снч

Пакет

@10В

(V)

Макс.

Мін.

Тып.

Макс.

Тып.

Макс.

(пФ)

WST3400S

Халасты

N-Ch

30

5.6

0,5

0,8

1

-

-

525

СОТ-23Н

WST2316

Халасты

N-Ch

20

5.9

0,3

0,5

1.2

-

-

395

СОТ-23-3Л

WST3408

Халасты

N-Ch

30

5.5

1

1.4

2

26

32

391

СОТ-23-3Л

WST2339

Халасты

П-Ч

-20

-7,1

-0,5

-0,5

-1

-

-

2000 год

СОТ-23-3Л

WST3409

Халасты

П-Ч

-30

-5,1

-0,7

-1

-1,3

-

43

826

СОТ-23-3Л

WSD30L120DN56

Халасты

П-Ч

-30

-120

-1,2

-1,5

-2,5

2.9

3.6

6100

ДФН5Х6-8

WSP4406

Халасты

N-Ch

30

12

1.2

1.9

2.5

9.5

12

770

СОП-8

WSP9926

Двайны+ESD

N-Ch

20

7.2

0,5

0,7

1.2

-

-

615

СОП-8

WSP9926A

Двайны+ESD

N-Ch

20

7.5

0,5

0,7

1.1

-

-

620

СОП-8

WSP4435

Халасты

П-Ч

-30

-8,2

-1,5

-2

-2,5

16

20

2050 год

СОП-8

WSP4407

Халасты

П-Ч

-30

-13

-1,2

-2

-2,5

9.6

15

1550 год

СОП-8

WSP4953A

Двайны

П-Ч

-20

-5,8

-0,6

-1,1

-1,7

40

65

625

СОП-8

WSP4606

N+P

N-Ch

30

7

1

1.5

2.5

18

28

550

СОП-8

П-Ч

-30

-6

-1

-1,5

-2,5

30

38

645

WSF70P03

Халасты

П-Ч

-30

-65

-1

-1,6

-2,5

7.5

9.5

3448

ТО-252

Іншыя нумары маркі матэрыялу, якія адпавядаюць вышэйзгаданаму WINSOK MOSFET:
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST3400S: AOS AO3400, AO3400A, AO3404. VISHAY Si2374DS. TOSHIBA SSM3K345R. Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8, ZXMC3A18DN8, DMC3032LSD, DMC3016LSD. Sinopower SM2314 NSA.Potens Semiconductor PDN3643.

Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST2316: AOS AO3420.Potens Semiconductor PDN2318S.

Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST3408: AOS AO3404, AO3404A, AO3406, AO3454, AO3456.Onsemi, FAIRCHILD FDN537N.VISHAY Si2366DS, Si2336DS.STMicroelectronics STR2N2VH5.Nxperian PMV25ENEA.TOSHIBA SSM 3K333R,SSM3K335R.PANJIT PJA3404,PJA3404A.APEC AP2316GN, AP2326GN.Дыёды Incorporated ZXMN3F30FH.Sinopower SM2308NSA,SM2304NSA.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3612S.

Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST2339: AOS AO3413, AO3415A, AO3415A, AO3419, AO3423, AO3435, AO3493, AO3495, AO3499, AO21115C.VISHAY Si2399DS.TOSHIBA SSM3J355R.Sinopower SM2335PSA .Potens Semiconductor PDN2309S.

Адпаведныя матэрыяльныя нумары Winsok Mosfet WST3409 з'яўляюцца: AOS AO3401, AO3401A, AO3453, AO3459.Vishay SI2343CDS.TOSHIBA SSM3J332R, SSM3J372R.Sinopower SM2315PSNA.NIKO-SEM P5103MG.POTNENS SPOTNENS SPOTNENS SPOTNENS. S.

Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSD30L120DN56: AOS AON6403, AON6407, AON6411.PANJIT PJQ5427.Potens Semiconductor PDC3901X.

Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4406: AOS AO4406A, AO4306, AO4404B, AO4466, AO4566.Onsemi, FAIRCHILD NTMS4801N.VISHAY Si4178DY.STMicroelectronics STS11NF30L.INFINEON, IR BSO110N03MS G.TOSHIBA TP89R103NL.PANJIT PJL9412.Sinopower SM4832NSK,SM4834NSK,SM4839NSK .NIKO-SEM PV548BA,P1203BVA,P0903BVA.Potens Semiconductor PDS3908.

Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP9926: AOS AO9926B, AO9926C.Onsemi, FAIRCHILD FDS6890A, FDS6892A, FDS6911.VISHAY Si9926CDY.Potens Semiconductor PDS3808.

Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP9926A: AOS AO9926B, AO9926C.Onsemi, FAIRCHILD FDS6890A, FDS6892A, FDS6911.VISHAY Si9926CDY.INFINEON, IR BSO330N02K G.Sinopower SM9926DSK.Potens Semiconductor PDS38 10.

Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4435: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4807, AO4813.Onsemi, FAIRCHILD FDS4465BZ, FDS6685.VI SHAY Si4431CDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6, STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.

Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4407: AOS AO4407,4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.STMicroelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3LLH 6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA, P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.

Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4953A: AOS AO4801, AO4801A, AO4803, AO4803A.Onsemi, FAIRCHILD NTMS5P02.VISHAY Si9933CDY.STMicroelectronics STS4DPF20L.TOSHIBA TPC8129.ROHM QH8JA1.PANJIT PJL98 01.APEC AP2P028EM,AP4413GM.Уключаны дыёды ZXMP3A16N8.NIKO- SEM PV521BA.

Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4606: AOS AO4606, AO4630.
AOS AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.PANJIT PJL9602.Sinopower SM4901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710.

Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSF70P03: AOS AOD21357, AOD403, AOD423.Onsemi, FAIRCHILD NVATS4A103PZ.VISHAY SUD50P04.STMicroelectronics STD37P3H6AG,STD40P3LLH6.TOSHIBA TJ60S04M3L.PANJIT PJD 70P03.APEC AP3P9ROH,AP6679BGH.NIKO-SEM PZ0703ED,PD537BA.Potens Semiconductor PDD3959.


Час публікацыі: 24 лістапада 2023 г