Электрычныя вентылятары ў цяперашні час папулярныя ва ўсім свеце за іх зручнасць і эканамічнасць. Чакаецца, што з тэхналагічным прагрэсам будучыя электрычныя вентылятары будуць больш энергаэфектыўнымі, цішэйшымі і інтэграванымі з інтэлектуальнымі сістэмамі кіравання, такімі як дыстанцыйнае кіраванне і функцыі адаптацыі да навакольнага асяроддзя, для паляпшэння карыстальніцкага досведу. Выкарыстанне WINSOKMOSFETможа быць у стане дапамагчы вам вырашыць вышэйзгаданыя праблемы.
МАП-транзістары ў электрычных вентылятарах сутыкаюцца з праблемамі адводу цяпла і даўгавечнасці. Цяпло, якое выдзяляецца ў выніку бесперапыннай працы, можа прывесці да зніжэння эфектыўнасці і скарачэння тэрміну службы MOSFET; Акрамя таго, забеспячэнне стабільнай працы пры розных напружаннях і тэмпературах з'яўляецца значнай праблемай.
ПрымяненнеВІНСОКMOSFET ў электрычных вентылятарах, асноўныя мадэлі прымянення:
| Нумар дэталі | Канфігурацыя | Тып | ВДС | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS (ВКЛ.) (мОм) | снч | Пакет | |||
| @10В | |||||||||||
| (V) | Макс. | Мін. | Тып. | Макс. | Тып. | Макс. | (пФ) | ||||
| Халасты | N-Ch | 20 | 4.4 | 0,3 | 0,85 | 1.2 | - | - | 382 | СОТ-23Н | |
| Халасты | П-Ч | -20 | -3,8 | -0,3 | -0,5 | -1 | - | - | 677 | СОТ-23-3Л | |
| Халасты | П-Ч | -30 | -5 | -1 | -1,5 | -2 | 53 | 65 | 625 | СОТ-89 | |
| Двайны | N-Ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 43 | 52 | 870 | СОП-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | СОП-8 | |
| П-Ч | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Халасты | N-Ch | 60 | 50 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | 20 | 23 | 1680 год | ТО-252 | |
| Халасты | N-Ch | 60 | 60 | 1 | 1.8 | 3 | 10 | 12 | 1896 год | ТО-252 | |
| Халасты | П-Ч | -60 | -45 | -1 | -1,6 | -2,5 | 30 | 40 | 1914 год | ТО-252 | |
Іншыя нумары маркі матэрыялу, якія адпавядаюць вышэйзгаданаму WINSOK MOSFET:
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST3424: AOS AO3494.VISHAY Si2377EDS.Nxperian PMV50XP.Diodes Incorporated ZXMN3F30FH.Sinopower SM2431PSAN.NIKO-SEM PM505BA.DINTEK ELECTRONICS DTS2301,DTS2301B,DTS 2301S, DTS2305, DTS2305A, DTS2305AD, DTS2320F, DTS2371, DTS2391 .
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST2303: AOS AO3413, AO3415A, AO3415A, AO3419, AO3423, AO3435, AO3493, AO3495, AO3499, AO21115C.PANJIT PJ2301.Potens Semiconductor PDN2315S.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSE3099: Sinopower SM3095PSD.DINTEK ELECTRONICS DTC3059,DTC3059C.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP6946: AOS AO4828, AOSD62666E, AOSD6810.Onsemi, FAIRCHILD FDS5351.VISHAY Si4946CDY.PANJIT PJL9836A.Potens Semiconductor PDS6810.DINTEK ELECTRONICS DTM4946.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSP4606: AOS AO4606, AO4630.
AOS AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.PANJIT PJL9602.Sinopower SM4901CSK.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semicondu актар PDS3710.DINTEK ELECTRONICS DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSF40N06: AOS AOD2606, AOD2610E, AOD442G, AOD66620.Onsemi, FAIRCHILD FDD10AN06A0.VISHAY SUD50N06-09L.STMicroelectronics STD20NF06LAG.INFINEON,IR IPD079N06L3 G.TOSHIBA TK45S06K3L.PANJIT PJD45N06A.Sinopower SM6019NSU.Potens Semiconductor PDD6904. DINTEK ELECTRONICS DTU50N06.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSF60N06: AOS AOD2606, AOD2610E, AOD442G, AOD66620.STMicroelectronics STD20NF06LAG, STD20NF06LAG.INFINEON, IR IR60N06.TOSHIBA TK60S06K3L.PANJIT PJD60N0 6.Potens Semiconductor PDD6960.DINTEK ELECTRONICS DTU55N06.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSF45P06: VISHAY SUD50P06.STMicroelectronics STD15P6F6AG.TOSHIBA TJ50S06M3L.Potens Semiconductor PDD6903.DINTEK ELECTRONICS DTU40P06.
Час публікацыі: 18 лістапада 2023 г
