У цяперашні час 3D-прынтэры (прылады для адытыўнай вытворчасці) хутка развіваюцца, шырока выкарыстоўваюцца ў вытворчасці, медыцыне і адукацыі.Чакаецца, што ў будучыні з большай хуткасцю друку і большай разнастайнасцю матэрыялаў 3D-друк стане больш дыверсіфікаванай і шырока распаўсюджанай, асабліва ў індывідуальнай вытворчасці і вырабе складаных канструкцый.
У 3D-прынтарах (прыладах адытыўнай вытворчасці) выкарыстанне MOSFET у асноўным сутыкаецца з такімі праблемамі, як рассейванне цяпла, асабліва падчас высакахуткаснага доўгатэрміновага друку.Акрамя таго,MOSFETs адчувальныя да ваганняў напружання, што можа паўплываць на дакладнасць друку.Кошт і памер таксама ўлічваюцца пры распрацоўцы і абслугоўванні. ВыкарыстаннеВІНСОКMOSFET можа дапамагчы вам вырашыць вышэйпералічаныя праблемы.
Прымяненне WINSOK MOSFET у 3D-прынтарах, асноўныя мадэлі прымянення:
| Частка нумар | Канфігурацыя | Тып | ВДС | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS (ВКЛ.) (мОм) | снч | Пакет | |||
| @10В | |||||||||||
| (V) | Макс. | Мін. | Тып. | Макс. | Тып. | Макс. | (пФ) | ||||
| Халасты | N-Ch | 30 | 7 | 0,5 | 0,8 | 1.2 | - | - | 572 | СОТ-23-3Л | |
| Халасты | N-Ch | 30 | 100 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 4 | 1350 год | ДФН5Х6-8 | |
| Халасты | N-Ch | 30 | 43 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | 10 | 12 | 940 | ТО-252 | |
| Халасты | N-Ch | 30 | 85 | 1 | 1.5 | 2.5 | 4.5 | 5.5 | 2295 | ТО-252 | |
| Халасты | N-Ch | 30 | 160 | 1.5 | 1.9 | 2.5 | 2.3 | 3 | 2450 | ТО-252 | |
| Халасты | N-Ch | 60 | 50 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | 20 | 23 | 1680 год | ТО-252 | |
| Халасты | N-Ch | 60 | 60 | 1 | 1.8 | 3 | 10 | 12 | 1896 год | ТО-252 | |
| Халасты | N-Ch | 40 | 180 | 2 | 3 | 4 | 3 | 3.6 | 4426 | ТО-263 | |
| Халасты | N-Ch | 40 | 220 | 2 | 3 | 4 | 2.5 | 3.2 | 5710 | ТО-263 | |
Іншыя нумары маркі матэрыялу, якія адпавядаюць вышэйзгаданаму WINSOK MOSFET:
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WST3400: WST3400AOS AO3400,AO3400A,AO3404.Onsemi,FAIRCHILD FDN537N.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3912S.DINTEK ELECTRONICS DTS3406.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSD30100DN56: WSD30100DN56AOS AON6354, AON6572, AON6314, AON6502, AON6510.Onsemi, FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiRA80DP,SiDR392DP.ST Мікраэлектроніка STL65DN3LLH5, STL58N3LLH5.INFINEON, ВК BSC014N03LSG, BSC016N03LSG, BSC014N03MSG, BSC016N03MSG .NXP NXPPSMN7R0-30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEM PK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSF3040: WSF3040AOS AOD32326, AOD418, AOD514, AOD516, AOD536, AOD558.Onsemi, FAIRCHILD FDD6296.STMicroelectronics STD40NF3LL.INFINEON, IR IPD090N03LG.TOSHIBA TK4 5P03M1.PANJIT PJD45N03.Sinopower SM3117NSU,SM3119NAU.NIKO-SEM PD600BA.Potens Semiconductor PDD3910.DINTEK ELECTRONICS DTU40N03.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSF3085: WSF3085AOS AOD4132, AOD508, AOD518.Onsemi, FAIRCHILD FDD050N03B.STMicroelectronics STD100N3LF3.INFINEON, IR IPD031N03LG, IPD040N03LG.PANJIT PJD85N0 3.Sinopower SM3106NSU.NIKO-SEM PD548BA.Potens Semiconductor PDD3906.DINTEK ELECTRONICS DTU50N03 .
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSF30160: WSF30160Onsemi, FAIRCHILD FDD8870.INFINEON, IR IRLR7843.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSF40N06: WSF40N06AOS AOD2606, AOD2610E, AOD442G, AOD66620.Onsemi, FAIRCHILD FDD10AN06A0.VISHAY SUD50N06-09L.STMicroelectronics STD20NF06LAG.INFINEON,IR IPD07 9N06L3G.TOSHIBA TK45S06K3L.PANJIT PJD45N06A.Sinopower SM6019NSU.Potens Semiconductor PDD6904. DINTEK ELECTRONICS DTU50N06.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSF60N06: WSF60N06AOS AOD2606, AOD2610E, AOD442G, AOD66620.STMicroelectronics STD20NF06LAG,STD20NF06LAG.INFINEON,IR IR60N06.TOSHIBA TK60S06K3L.PANJIT P JD60N06.Potens Semiconductor PDD6960.DINTEK ELECTRONICS DTU55N06.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSK180N04: WSK180N04AOS AOB1404L, AOB2140L, AOB2144L.STMicroelectronics STH160N4LF6-2.Nxperian PSMN1R1-40BS.Texas Instruments CSD18511KTT.Potens Semiconductor PDH4960.
Адпаведныя нумары матэрыялаў WINSOK MOSFET WSK220N04: WSK220N04AOS AOB1404L, AOB2140L, AOB2144L.Onsemi, FAIRCHILD FDB8443.STMicroelectronics STB55NF06L.Potens Semiconductor PDH4970.
Час публікацыі: 1 снежня 2023 г
